
| Максимальна потужність розсіювання | 0.73 Вт |
|---|---|
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
|---|---|
| Корпус | TSOP6 |
| Виробник | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Транзистори AO6601 є комплементарною парою N/P-MOSFET з збагачуваним каналом. Комплементарна пара означає наявність у комплекті транзисторів з N- та P-каналами. Полярність транзисторів — уніполярна.
Електричні параметриМаксимальна напруга між витоком та стоком становить 30 В для N-каналу та -30 В для P-каналу. Струм стоку дорівнює 2,7 А (N) та -1,8 А (P). Опір у відкритому стані — 60 мОм для N-каналу та 115 мОм для P-каналу. Напруга затвор-виток — ±12 В.
Монтаж та корпусКомпоненти виконані у корпусі TSOP6 для поверхневого монтажу (SMD). Потужність розсіювання становить 0,73 Вт. Заряд затвора — 4,7 нКл для N-каналу та 2,8 нКл для P-каналу.
Заряд затвора та потужність розсіюванняУпаковка містить 40 транзисторів AO6601.