
| Максимальна потужність розсіювання | 1.28 Вт |
|---|---|
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
|---|---|
| Корпус | SO8 |
| Виробник | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Комплект із 30 комплементарних пар N/P-MOSFET транзисторів ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AO4611 у корпусі SO8. Призначені для монтажу на поверхню (SMD) та роботи з напругою до 60 В.
Транзистори AO4611 є комплементарною парою N/P-MOSFET, що дозволяє реалізовувати push-pull схеми в одному корпусі. Це спрощує трасування плати та зменшує кількість компонентів у пристрої. Монтаж виконується технологією SMD у корпусі SO8, що забезпечує компактність вузлів.
Електричні параметри та потужністьМаксимальна напруга дрена-джерела становить 60 В для N-каналу та -60 В для P-каналу. Струм дрена досягає 5 А (N) та -3,9 А (P). Опір у стані провідності дорівнює 25 мОм (N) та 42 мОм (P). Потужність розсіювання становить 1,28 Вт.
Керування та зарядиНапруга керування затвором (Gate-Source) допускається в діапазоні ±20 В. Заряд затвора (Gate Charge) становить 24,2 нКл для N-каналу та 22,8 нКл для P-каналу. Канали є збагачуваними (enhancement mode).
Транзистори AO4611 у комплекті 30 шт. підходять для прототипування та дрібних серій.