Prom – найбільший маркетплейс України

2SD1069

Код: 00-00030796
В наявності
92.50 ₴
Картка Rozetka
+5%
бонусів з карткою Rozetka
Замовлення у продавця — від 500 ₴
Продавець Інтернет-магазин ЗНАКОМО! Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
96%

Доставка

  • Іконка доставки
    Підписка на доставку Smart
    Безкоштовно — у відділення Нової Пошти
    Дізнатися більше
  • Іконка доставки
    Нова Пошта

Оплата та гарантії

  • Іконка оплати
    Безпечна оплата карткою
    Зображення для Безпечна оплата карткою
    Без переплат
    Prom гарантує безпеку
    Повернемо гроші при відмові від посилки
  • Іконка оплати
    Післяплата
    Нова Пошта, Укрпошта
2SD1069 - фото 1 - id-p3195238267

Характеристики та опис

Основні

Виробник
TOS

Додаткові характеристики

СтанНовий

Користувальницькі характеристики

Артикул00-00030796
Гранична частота коефіцієнта передавання струму (ft)18 MHz
Корпус транзизораTO220
Максімально допустима напруга колектор-база (Ucb)300 V
Максімально допустима напруга колектор-емітер (Uce)150 V
Максімально допустима напруга емітер-база (Ueb)6 V
Максимальний постійний струм колектора (Ic)7 A
Максимальна розсіювана потужність (Pc)40 W
Найменування виробника2SD1069
ПолярністьNPN
Гранична температура PN-переходу (Tj)150 °C
Статичний коефіцієнт передавання струму (hfe)10
Тип матеріалуSi
2SD1069 Транзистор біполярний

Відгуки та запитання

  • Відгуки (0)
  • Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
Був online: Сьогодні
Інтернет-магазин ЗНАКОМО! Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
Інтернет-магазин ЗНАКОМО! Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
96% позитивних відгуків

Схоже в інших продавців

NCE55P30K 55V 30A 40mΩ@10V,15A 65W 4V 1 pie P-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs
NCE55P30K 55V 30A 40mΩ@10V,15A 65W 4V 1 pie P-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs
57.50 ₴
2N6517BU Біполярний транзистор, NPN, 400 В, 200 МГц, 625 мВт, 20 hFE
2N6517BU Біполярний транзистор, NPN, 400 В, 200 МГц, 625 мВт, 20 hFE
33.80 ₴
NDD04N60ZT4G МОП-транзистор, N Канал, 4.1 А, 600 В, 1.8 Ом, 10 В, 3.9 В
NDD04N60ZT4G МОП-транзистор, N Канал, 4.1 А, 600 В, 1.8 Ом, 10 В, 3.9 В
75 ₴
BFQ19SH6327XTSA1 Транзистор: NPN, біполярний, RF, 20В, 120мА, 1Вт, SOT89
BFQ19SH6327XTSA1 Транзистор: NPN, біполярний, RF, 20В, 120мА, 1Вт, SOT89
40 ₴
AOTS21311C Транзистор: P-MOSFET, польовий, 30В, 5,9А, 2,5Вт, TSOP6
AOTS21311C Транзистор: P-MOSFET, польовий, 30В, 5,9А, 2,5Вт, TSOP6
33.80 ₴
AOND32324 Транзистор: N/P-MOSFET, польовий, додаткова пара, 30/-30В
AOND32324 Транзистор: N/P-MOSFET, польовий, додаткова пара, 30/-30В
153.80 ₴
STP140NF55 Транзистор MOSFET N-канал 55В 80А
STP140NF55 Транзистор MOSFET N-канал 55В 80А
91.30 ₴
IRFU320PBF MOSFET силовий транзистор - [IPAK (TO-251)]: Тип: N: Uси: 400 В: Iс (25 ° C): 12 А: Rсі (вкл): 1.8 Ом: @ Uзатв (ном):
IRFU320PBF MOSFET силовий транзистор - [IPAK (TO-251)]: Тип: N: Uси: 400 В: Iс (25 ° C): 12 А: Rсі (вкл): 1.8 Ом: @ Uзатв (ном):
75 ₴
STP5NK60ZFP MOSFET транзистор: N-канал, 600 В, 5 А
STP5NK60ZFP MOSFET транзистор: N-канал, 600 В, 5 А
87.50 ₴
FDMC4435BZ MOSFET транзистор - Power33, PQFN-8: Тип: P: Uси: 30 В: Iс (25 ° C): 18 А: Rсі (вкл): 20 ... 37 мом: @ Uзатв (ном): 4.5
FDMC4435BZ MOSFET транзистор - Power33, PQFN-8: Тип: P: Uси: 30 В: Iс (25 ° C): 18 А: Rсі (вкл): 20 ... 37 мом: @ Uзатв (ном): 4.5
41.30 ₴
FTU45N06N Транзистор: N-MOSFET: 60В: 21А: 33 мОм: 31Вт
FTU45N06N Транзистор: N-MOSFET: 60В: 21А: 33 мОм: 31Вт
33.80 ₴
2STN2540 Транзистор: PNP, біполярний, 40В, 5А, 1,6Вт
2STN2540 Транзистор: PNP, біполярний, 40В, 5А, 1,6Вт
60 ₴
2SD1564
2SD1564
46.30 ₴
IRF7351PBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 4 А: Rсі (вкл): 55 мом: @ Uзатв (ном): 10 В:
IRF7351PBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 4 А: Rсі (вкл): 55 мом: @ Uзатв (ном): 10 В:
123.80 ₴