Prom – найбільший маркетплейс України

BD242CG

Код: 00-00031461
В наявності
86.30 ₴
Картка Rozetka
+5%
бонусів з карткою Rozetka
Замовлення у продавця — від 500 ₴
Продавець Інтернет-магазин ЗНАКОМО! Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
96%

Доставка

  • Іконка доставки
    Підписка на доставку Smart
    Безкоштовно — у відділення Нової Пошти
    Дізнатися більше
  • Іконка доставки
    Нова Пошта

Оплата та гарантії

  • Іконка оплати
    Безпечна оплата карткою
    Зображення для Безпечна оплата карткою
    Без переплат
    Prom гарантує безпеку
    Повернемо гроші при відмові від посилки
  • Іконка оплати
    Післяплата
    Нова Пошта, Укрпошта
BD242CG - фото 1 - id-p3195236265

Характеристики та опис

Основні

Виробник
ONS

Додаткові характеристики

СтанНовий

Користувальницькі характеристики

Артикул00-00031461
BD242CG Транзистор біполярний

Відгуки та запитання

  • Відгуки (0)
  • Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
Був online: Сьогодні
Інтернет-магазин ЗНАКОМО! Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
Інтернет-магазин ЗНАКОМО! Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
96% позитивних відгуків

Схоже в інших продавців

IRF9332PBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: P: Uси: 30 В: Iс (25 ° C): 9.8 А: Rсі (вкл): 17.5 мом: @ Uзатв (ном): 10
IRF9332PBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: P: Uси: 30 В: Iс (25 ° C): 9.8 А: Rсі (вкл): 17.5 мом: @ Uзатв (ном): 10
98.80 ₴
HYG053N10NS1C2 100V 95A 83.3W 4.6mΩ@10V,20A 3V 1 N-channel PDFN5x6-8L MOSFETs
HYG053N10NS1C2 100V 95A 83.3W 4.6mΩ@10V,20A 3V 1 N-channel PDFN5x6-8L MOSFETs
45 ₴
ZVN2106ASTZ Транзистор: N-MOSFET: польовий: 60В: 0,45А: 0,7Вт
ZVN2106ASTZ Транзистор: N-MOSFET: польовий: 60В: 0,45А: 0,7Вт
87.50 ₴
NCE609 40V 45mΩ@4.5V,4A 40W 1V 1 N-Channel + 1 P-Channel TO-252-4L MOSFETs
NCE609 40V 45mΩ@4.5V,4A 40W 1V 1 N-Channel + 1 P-Channel TO-252-4L MOSFETs
36.30 ₴
B772-SOT23-3
B772-SOT23-3
27.50 ₴
FDD8647L MOSFET транзистор - TO-252-2: Тип: N: Uси: 40 В: Iс (25 ° C): 42 А: Rсі (вкл): 9 ... 13 мом: при Uзатв (ном.)
FDD8647L MOSFET транзистор - TO-252-2: Тип: N: Uси: 40 В: Iс (25 ° C): 42 А: Rсі (вкл): 9 ... 13 мом: при Uзатв (ном.)
92.50 ₴
AON6816 Транзистор: N-MOSFET x2, польовий, 30В, 13А, 8Вт, DFN5x6B
AON6816 Транзистор: N-MOSFET x2, польовий, 30В, 13А, 8Вт, DFN5x6B
96.30 ₴
TBD436 Транзистор: PNP: біполярний: 32В: 4А: 36Вт: TO126
TBD436 Транзистор: PNP: біполярний: 32В: 4А: 36Вт: TO126
42.50 ₴
IRF9630PBF MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3]: Тип: P: Uси: 200 В: Iс (25 ° C): 6.5 А: Rсі (вкл): 0.8 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:
IRF9630PBF MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3]: Тип: P: Uси: 200 В: Iс (25 ° C): 6.5 А: Rсі (вкл): 0.8 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:
87.50 ₴
2N6036 Транзистор: PNP: біполярний: Дарлінгтон: 80 В: 4 А: 40 Вт
2N6036 Транзистор: PNP: біполярний: Дарлінгтон: 80 В: 4 А: 40 Вт
40 ₴
AOD2610-VB 60V 50A 12m-@10V,20A 3W 3V@250uA N Channel TO-252-3 MOSFETs
AOD2610-VB 60V 50A 12m-@10V,20A 3W 3V@250uA N Channel TO-252-3 MOSFETs
63.80 ₴
FMMT722TA Біполярний транзистор, PNP, -70 В, 200 МГц, 625 мВт, -1.5 А, 300 hFE
FMMT722TA Біполярний транзистор, PNP, -70 В, 200 МГц, 625 мВт, -1.5 А, 300 hFE
38.80 ₴
AP9977GM-VB 60V 7A 4W SO-8 Single FETs, MOSFETs
AP9977GM-VB 60V 7A 4W SO-8 Single FETs, MOSFETs
63.80 ₴
NCE40P40K 40V 40A 80W 14mΩ@10V,12A 3V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs
NCE40P40K 40V 40A 80W 14mΩ@10V,12A 3V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs
32.50 ₴