
| Колекторний струм | 60А |
|---|---|
| Напруга затвора-емітер | ±20 В |
| Напруга колектор-емітер | 650 В |
| Платіж через шлюз | 284 нКл |
| Виробник | ОНСЕМИ |
| Розсіяна потужність | 300 Вт |
| Властивості напівпровідникових елементів | інтегрований антипаралельний діод |
| Випадковість | TO3PN |
| Тип транзизора | ИГБТ |
| Тип паковання | трубка |
| Струм колектора імпульсу | 180 А |
| Встановлення | ТХТ |
| Виробник | ОНСЕМІ |
| Тип транзистора | IGBT |
| Напруга колектор-емітер | 650 В |
| Струм колектора | 60А |
| Розсіювана потужність | 300 Вт |
| Справа | ТО3ПН |
| Напруга затвор-емітер | ±20 В |
| Струм імпульсного колектора | 180А |
| Встановлення | ТГТ |
| Плата за шлюз | 284 нК |
| Тип упаковки | трубка |
| Властивості напівпровідникових елементів | інтегрований антипаралельний діод |