Транзистор: N-MOSFET; SiC; однополярний; 1,2 кВ; 46 А; Idm: 100 А; 278 Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; SiC; однополярний; 1,2 кВ; 46 А; Idm: 100 А; 278 Вт
SKU: 3187123449
Price: 2571 UAH
Availability: PreOrder

Код: 3187123449

Під замовлення. Відправка з 03.10.2026

2 857 ₴

+5%

бонусів з карткою Rozetka

Продавець Zirka

83%

Доставка

Підписка на доставку Smart
Безкоштовно — у відділення Нової Пошти
Дізнатися більше
Нова Пошта

Оплата та гарантії

Безпечна оплата карткою
Без переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинами
Без переплат*, від 286 ₴ / міс.
Детальніше
Післяплата
Нова Пошта
Оплата на рахунок
IBAN UA133220010000026004340046026

Транзистор: N-MOSFET; SiC; однополярний; 1,2 кВ; 46 А; Idm: 100 А; 278 Вт - фото 1 - id-p3189246460

Характеристики та опис

Імпульсний струм стоку	100А
Напруга затвора-висток	-4...18В
Напруга стік-висток	1,2 кВ
Платіж через шлюз	121нС
Поляризація	універсальний
Застосунок	автомобільна промисловість
Виробник	DIOTEC ПОЛУПРОВОДНИК
Розсіяна потужність	278W
Властивості напівпровідникових елементів	Виведення Кельвіна
Випадковість	ТО247-4
Опір в активному стані	65 мОм
Технології	SiC
Тип каналу	збагачений
Тип транзизора	N-МОН-транзисстор
Тип паковання	трубка
Встановлення	ТХТ
струм стоку	46А

Виробник	НАПІВПРОВІДНИК DIOTEC
Тип транзистора	N-MOSFET
Поляризація	однополярний
Напруга стік-витік	1,2 кВ
Струм стоку	46А
Імпульсний струм стоку	100А
Розсіювана потужність	278 Вт
Справа	ТО247-4
Напруга затвор-витік	-4...18 В
Опір увімкненому стані	65 мОм
Встановлення	ТГТ
Тип упаковки	трубка
Тип каналу	збагачений
Плата за шлюз	121 нК
Технології	Карбід кремнію
Властивості напівпровідникових елементів	Виведення Кельвіна
Застосування	автомобільна промисловість