
| Виробник | IXYS |
|---|
| Час очікування | 300 нс |
|---|---|
| Напруга затвора-висток | ±30 В |
| Напруга стік-висток | 800 В |
| Платіж через шлюз | 0,27 мкКл |
| Поляризація | універсальний |
| Розсіяна потужність | 1,56 кВт |
| Випадковість | PLUS264™ |
| Опір в активному стані | 0,14 Ом |
| Технології | HiPerFETTM, клас Q3 |
| Тип каналу | збагачений |
| Тип транзизора | N-МОН-транзисстор |
| Тип паковання | трубка |
| Встановлення | ТХТ |
| струм стоку | 62 А |
| Виробник | IXYS |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Поляризація | однополярний |
| Напруга стік-витік | 800 В |
| Струм стоку | 62А |
| Розсіювана потужність | 1,56 кВт |
| Справа | PLUS264™ |
| Напруга затвор-витік | ±30 В |
| Опір увімкненому стані | 0,14 Ом |
| Встановлення | ТГТ |
| Тип упаковки | трубка |
| Тип каналу | збагачений |
| Час очікування | 300 нс |
| Плата за шлюз | 0,27 мкКл |
| Технології | HiPerFET™, клас Q3 |