Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор: N-MOSFET; SiC; однополярний; 1,2 кВ; 39 А; Idm: 171 А; 454 Вт

Код: 460840605
Під замовлення. Відправка з 28.09.2026

Доставка

  • Іконка доставки
    Підписка на доставку Smart
    Безкоштовно — у відділення Нової Пошти
  • Іконка доставки
    Нова Пошта

Оплата та гарантії

  • Іконка оплати
    Безпечна оплата карткою
    Зображення для Безпечна оплата карткою
    Без переплат
    Prom гарантує безпеку
    Повернемо гроші при відмові від посилки
  • Іконка оплати
    Оплатити частинами
    Без переплат*, від 175 ₴ / міс.
  • Іконка оплати
    Післяплата
    Нова Пошта
  • Іконка оплати
    Оплата на рахунок
    IBAN UA133220010000026004340046026
Транзистор: N-MOSFET; SiC; однополярний; 1,2 кВ; 39 А; Idm: 171 А; 454 Вт - фото 1 - id-p3189242497

Характеристики та опис

Основні

Виробник
SMT

Користувальницькі характеристики

Імпульсний струм стоку171А
Напруга затвора-висток-4...18В
Напруга стік-висток1,2 кВ
Платіж через шлюз115 нС
Поляризаціяуніверсальний
Розсіяна потужність454W
Властивості напівпровідникових елементівОхолодження верхньої частини SMT-панелі, розпилювання через Кельвін.
ВипадковістьTO247-4-TSC
Опір в активному стані0,1 Ом
ТехнологіїSiC
Тип каналузбагачений
Тип транзизораN-МОН-транзисстор
Тип пакованнятрубка
ВстановленняSMD
струм стоку39 А
ВиробникВІЧНЕ СВІТЛО
Тип транзистораN-MOSFET
Поляризаціяоднополярний
Напруга стік-витік1,2 кВ
Струм стоку39А
Імпульсний струм стоку171А
Розсіювана потужність454 Вт
СправаTO247-4-TSC
Напруга затвор-витік-4...18 В
Опір увімкненому стані0,1 Ом
ВстановленняПоверхневий монтаж
Плата за шлюз115 нС
Тип упаковкитрубка
Тип каналузбагачений
ТехнологіїКарбід кремнію
Властивості напівпровідникових елементівОхолодження зверху SMT, розпіновка Кельвіна

Відгуки та запитання

  • Відгуки (0)
  • Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
Був online: Сьогодні
Zirka
85% позитивних відгуків