
| Імпульсний струм стоку | 85 А |
|---|---|
| Напруга затвора-висток | -4...18В |
| Напруга стік-висток | 1,2 кВ |
| Платіж через шлюз | 60 нКл |
| Поляризація | універсальний |
| Виробник | БАЗОВИЙ ПОЛУПРОВОДНИК |
| Розсіяна потужність | 150 Вт |
| Властивості напівпровідникових елементів | Виведення Кельвіна |
| Випадковість | ТО263-7 |
| Опір в активному стані | 65 мОм |
| Технології | SiC |
| Тип каналу | збагачений |
| Тип транзизора | N-МОН-транзисстор |
| Тип паковання | трубка |
| Встановлення | SMD |
| струм стоку | 24А |
| Виробник | БАЗОВИЙ НАПІВПРОВІДНИК |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Поляризація | однополярний |
| Напруга стік-витік | 1,2 кВ |
| Струм стоку | 24А |
| Імпульсний струм стоку | 85А |
| Розсіювана потужність | 150 Вт |
| Справа | ТО263-7 |
| Напруга затвор-витік | -4...18 В |
| Опір увімкненому стані | 65 мОм |
| Встановлення | Поверхневий монтаж |
| Плата за шлюз | 60 нК |
| Тип упаковки | трубка |
| Тип каналу | збагачений |
| Технології | Карбід кремнію |
| Властивості напівпровідникових елементів | Виведення Кельвіна |