Модуль: IGBT; діод/транзистор; напівміст IGBT; Urmax: 1,2 кВ; SMT
Код: 4157985240
Під замовлення. Відправка з 10.10.2026
1 148 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 115 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта
Оплата на рахунокIBAN UA133220010000026004340046026
Характеристики та опис
Основні атрибути
| Виробник | IXYS |
|---|---|
| Тип | Модуль |
Користувальницькі характеристики
| Колекторний струм | 23 А |
|---|---|
| Максимальна зворотна напруга. | 1,2 кВ |
| Напруга затвора-емітер | ±20 В |
| Напівпровідникова структура | діод/транзистор |
| Розсіяна потужність | 130 Вт |
| Випадковість | СМПД-Б |
| Технології | ISOPLUS™, Sonic FRD™ |
| Тип напівпровідникового модуля | ИГБТ |
| Струм колектора імпульсу | 45 А |
| Топологія | полумост на основе IGBT |
| Електромонтаж | СМТ |
| Виробник | IXYS |
| Тип напівпровідникового модуля | IGBT |
| Напівпровідникова структура | діод/транзистор |
| Зворотна напруга макс. | 1,2 кВ |
| Струм колектора | 23А |
| Справа | SMPD-B |
| Електромонтаж | ЗПТ |
| Напруга затвор-емітер | ±20 В |
| Струм імпульсного колектора | 45А |
| Технології | ISOPLUS™, Sonic FRD™ |
| Топологія | IGBT напівміст |
| Розсіювана потужність | 130 Вт |
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
![EdgeS3[D] - макетна плата з модулем ESP32-S3 та роз'ємом M.2 B-Key](https://images.prom.ua/7749101112_w200_h200_edges3d--plata.jpg)
