
| Тип | Модуль |
|---|
| Волість | 11 кВт |
|---|---|
| Колекторний струм | 35А |
| Максимальна зворотна напруга. | 1,2 кВ |
| Механічна збірка | закручений |
| Напруга затвора-емітер | ±20 В |
| Напівпровідникова структура | діод/транзистор |
| Застосунок | для ДБЖ, інверторів, фотоелектричних систем |
| Виробник | СЕМІКРОН ДАНИФОСС |
| Випадковість | MiniSKiiP® 2 |
| Тип напівпровідникового модуля | ИГБТ |
| Струм колектора імпульсу | 105А |
| Топологія | підвищувальний перетворювач, трифазний діодний міст, трифазний міст на IGBT-транзиссторах, терморезистор NTC. |
| Електромонтаж | Пресова посадка |
| Виробник | SEMIKRON DANFOSS |
| Тип напівпровідникового модуля | IGBT |
| Напівпровідникова структура | діод/транзистор |
| Справа | MiniSKIiP® 2 |
| Електромонтаж | Прес-фіт |
| Механічне складання | пригвинчений |
| Застосування | для ДБЖ, інверторів, фотоелектричних систем |
| Зворотна напруга макс. | 1,2 кВ |
| Потужність | 11 кВт |
| Напруга затвор-емітер | ±20 В |
| Струм колектора | 35А |
| Топологія | підвищувальний переривник, 3-фазний діодний міст, 3-фазний IGBT міст, NTC-термістор |
| Струм імпульсного колектора | 105А |