
| Тип | Модуль |
|---|
| Волість | 4 кВт |
|---|---|
| Колекторний струм | 15 А |
| Максимальна зворотна напруга. | 1,2 кВ |
| Механічна збірка | закручений |
| Напруга затвора-емітер | ±20 В |
| Напівпровідникова структура | діод/транзистор |
| Застосунок | для ДБЖ, інверторів, фотоелектричних систем |
| Виробник | СЕМІКРОН ДАНИФОСС |
| Випадковість | MiniSKiiP® 1 |
| Тип напівпровідникового модуля | ИГБТ |
| Топологія | знижувальний перетворювач, трифазний діодний міст, трифазний міст на IGBT-транзисторів, терморезистор |
| Електромонтаж | Пресова посадка |
| Виробник | SEMIKRON DANFOSS |
| Тип напівпровідникового модуля | IGBT |
| Напівпровідникова структура | діод/транзистор |
| Справа | МініСКіП® 1 |
| Електромонтаж | Прес-фіт |
| Механічне складання | пригвинчений |
| Застосування | для ДБЖ, інверторів, фотоелектричних систем |
| Зворотна напруга макс. | 1,2 кВ |
| Потужність | 4 кВт |
| Напруга затвор-емітер | ±20 В |
| Струм колектора | 15А |
| Топологія | понижувальний переривник, 3-фазний діодний міст, 3-фазний IGBT міст, термістор |