
| Імпульсний струм стоку | 400А |
|---|---|
| Механічна збірка | закручений |
| Напруга затвора-висток | -5...20 В |
| Напруга стік-висток | 1,2 кВ |
| Напівпровідникова структура | один транзистор |
| Поляризація | універсальний |
| Виробник | DACO Semiconductor |
| Робоча температура | -55...150°C |
| Розсіяна потужність | 580 Вт |
| Випадковість | SOT227B |
| Опір в активному стані | 20 мОм |
| Технології | SiC |
| Тип напівпровідникового модуля | транзистор MOSFET |
| Електромонтаж | закручений |
| струм стоку | 110 А |
| Виробник | DACO Semiconductor |
| Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET |
| Напівпровідникова структура | один транзистор |
| Напруга стік-витік | 1,2 кВ |
| Струм стоку | 110А |
| Справа | СОТ227Б |
| Електромонтаж | пригвинчений |
| Поляризація | однополярний |
| Опір увімкненому стані | 20 мОм |
| Імпульсний струм стоку | 400А |
| Розсіювана потужність | 580 Вт |
| Технології | Карбід кремнію |
| Напруга затвор-витік | -5...20 В |
| Механічне складання | пригвинчений |
| Робоча температура | -55...150°C |