Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор E13009 400V 12A (аналог MJE13009)

Код: 14974407
В наявності
189 ₴
Картка Rozetka
+1%
бонусів з карткою Rozetka
Замовлення у продавця — від 350 ₴
Продавець Inspire
90%

Доставка

  • Іконка доставки
    Підписка на доставку Smart
    Безкоштовно — у відділення Нової Пошти
    Дізнатися більше
  • Іконка доставки
    Нова Пошта

Оплата та гарантії

  • Іконка оплати
    Безпечна оплата карткою
    Зображення для Безпечна оплата карткою
    Без переплат
    Prom гарантує безпеку
    Повернемо гроші при відмові від посилки
  • Іконка оплати
    Післяплата
    Нова Пошта, Самовивіз
Транзистор E13009 400V 12A (аналог MJE13009) - фото 1 - id-p3097405811

Характеристики та опис

Основні

Виробник
Proinstal

Додаткові характеристики

СтанНовий

Користувальницькі характеристики

Гарантійний термін1
Транзистор E13009 400V 12A (аналог MJE13009)

Відгуки та запитання

  • Відгуки (0)
  • Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
Був online: Сьогодні
Inspire
Inspire
90% позитивних відгуків

Схоже в інших продавців

FJL6920TU Транзистор: NPN: біполярний: 800В: 20А: 200Вт: TO264
FJL6920TU Транзистор: NPN: біполярний: 800В: 20А: 200Вт: TO264
1 066.30 ₴
Транзистор AO3401A (уп. 10 шт.)
Транзистор AO3401A (уп. 10 шт.)
93.75 ₴
117.19 ₴
IGW15T120FKSA1 БТІЗ транзистор, 15 А, 2.2 В, 110 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3
IGW15T120FKSA1 БТІЗ транзистор, 15 А, 2.2 В, 110 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3
511.30 ₴
BDV64BG Транзистор: PNP: біполярний: Дарлінгтон: 100В: 10А: 125Вт
BDV64BG Транзистор: PNP: біполярний: Дарлінгтон: 100В: 10А: 125Вт
593.80 ₴
MJ15023G Біполярний транзистор, аудіо, PNP, -200 В, 4 МГц, 250 Вт, -16 А, 60 hFE
MJ15023G Біполярний транзистор, аудіо, PNP, -200 В, 4 МГц, 250 Вт, -16 А, 60 hFE
1 378.80 ₴
AGM405Q N-Channel 40V 55A 28W Surface Mount PDFN-8(5x6)
AGM405Q N-Channel 40V 55A 28W Surface Mount PDFN-8(5x6)
75 ₴
IPA60R280C6XKSA1 Транзистор MOSFET: N-CH: напруга 600 В: ток 13.8 A: заряд затвора 43 нКл: потужність 32 Вт: напруга затвора
IPA60R280C6XKSA1 Транзистор MOSFET: N-CH: напруга 600 В: ток 13.8 A: заряд затвора 43 нКл: потужність 32 Вт: напруга затвора
685 ₴
FDC634P Транзистор: P-MOSFET: польовий: -20В: -3,5А: 1,6Вт
FDC634P Транзистор: P-MOSFET: польовий: -20В: -3,5А: 1,6Вт
52.50 ₴
PDTA123ETVL 50V 30 100mA 250mW SOT-23 Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
PDTA123ETVL 50V 30 100mA 250mW SOT-23 Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
27.50 ₴
STF13N95K3 Тип: N: Uси: 950 В: Iс (25 ° C): 10 А: Rсі (вкл): 0.85 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В: Qзатв: 49 нКл
STF13N95K3 Тип: N: Uси: 950 В: Iс (25 ° C): 10 А: Rсі (вкл): 0.85 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В: Qзатв: 49 нКл
497.50 ₴
NCE1540KA N-Channel 150V 40A 140W Surface Mount TO-252-2L
NCE1540KA N-Channel 150V 40A 140W Surface Mount TO-252-2L
66.30 ₴
IRGB4630DPBF Транзистор, IGBT з діодом, N-канал, 600В, 47А
IRGB4630DPBF Транзистор, IGBT з діодом, N-канал, 600В, 47А
606.30 ₴
IRLML2502TRPBF MOSFET транзистор: N-канал, 20 В, 80 мОм
IRLML2502TRPBF MOSFET транзистор: N-канал, 20 В, 80 мОм
33.80 ₴
IRG4PC50UDPBF 600V 55A 200W
IRG4PC50UDPBF 600V 55A 200W
615 ₴