Prom – найбільший маркетплейс України

2SC4804

Код: 00-00030737
В наявності
від 20 ₴/міс
202.50 ₴
Замовлення у продавця — від 500 ₴
Продавець Інтернет-магазин ЗНАКОМО! Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
97%
Оплатити частинами

Доставка

  • Іконка доставки
    Підписка на доставку Smart
    Безкоштовно — у відділення Нової Пошти
    Дізнатися більше
  • Іконка доставки
    Нова Пошта

Оплата та гарантії

  • Іконка оплати
    Безпечна оплата карткою
    Зображення для Безпечна оплата карткою
    Без переплат
    Prom гарантує безпеку
    Повернемо гроші при відмові від посилки
  • Іконка оплати
    Оплатити частинами
    Зображення для Оплатити частинами
    Без переплат*, від 20 ₴ / міс.
    Детальніше
  • Іконка оплати
    Післяплата
    Нова Пошта, Укрпошта
2SC4804 - фото 1 - id-p3073093568

Характеристики та опис

Додаткові характеристики

СтанНовий

Користувальницькі характеристики

Артикул00-00030737
Корпус транзизораITO220
Максімально допустима напруга колектор-база (Ucb)900 V
Максімально допустима напруга колектор-емітер (Uce)600 V
Максімально допустима напруга емітер-база (Ueb)7 V
Максимальний постійний струм колектора (Ic)3 A
Максимальна розсіювана потужність (Pc)30 W
Найменування виробника2SC4804
ПолярністьNPN
Статичний коефіцієнт передавання струму (hfe)10
Тип матеріалуSi
2SC4804 Транзистор біполярний

Відгуки та запитання

  • Відгуки (0)
  • Запитання (0)
Всі
Ще не було відгуків про даний товар
Був online: Сьогодні
Інтернет-магазин ЗНАКОМО! Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
Інтернет-магазин ЗНАКОМО! Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
97% позитивних відгуків

Схоже в інших продавців

NCE80TD60BT IGBT + Diode, 390W, 600V, 160A, TO247
NCE80TD60BT IGBT + Diode, 390W, 600V, 160A, TO247
232.50 ₴
NCEP026N10T MOSFET, N-Channel, 300 W, 100 V, 230 A, TO-247
NCEP026N10T MOSFET, N-Channel, 300 W, 100 V, 230 A, TO-247
265 ₴
BSP317PH6327 МОП транзистор 1.8 Вт, 430 мА, 250 В, 4 Ом, 1.72 А, -55 ... 150 ° C
BSP317PH6327 МОП транзистор 1.8 Вт, 430 мА, 250 В, 4 Ом, 1.72 А, -55 ... 150 ° C
95 ₴
FQP5N60C МОП-транзистор, N Канал, 4.5 А, 600 В, 2 Ом, 10 В, 4 В
FQP5N60C МОП-транзистор, N Канал, 4.5 А, 600 В, 2 Ом, 10 В, 4 В
163.75 ₴
IRG7PH35UPBF IGBT транзистор - TO-247-3: Uке.макс: 1.2 кВ: Ік при 25 ° C: 55 А: Ік при 100 ° C: 35 А: Uке.нас: 1.9 В
IRG7PH35UPBF IGBT транзистор - TO-247-3: Uке.макс: 1.2 кВ: Ік при 25 ° C: 55 А: Ік при 100 ° C: 35 А: Uке.нас: 1.9 В
232.50 ₴
NCE2030 20V 30A 10.5mΩ@10V,20A 40W 1 N-channel TO-220 MOSFETs
NCE2030 20V 30A 10.5mΩ@10V,20A 40W 1 N-channel TO-220 MOSFETs
112.50 ₴
BD911 Транзистор: NPN: біполярний: 100В: 15А: 90Вт
BD911 Транзистор: NPN: біполярний: 100В: 15А: 90Вт
110 ₴
BU323ZG Біполярний транзистор, Дарлінгтона, NPN, 350 В, 2 МГц, 150 Вт, 10 А, 500 hFE
BU323ZG Біполярний транзистор, Дарлінгтона, NPN, 350 В, 2 МГц, 150 Вт, 10 А, 500 hFE
290 ₴
FQT5P10TF Транзистор: P-MOSFET, полевой, -100В, -0,8А, 2Вт, SOT223
FQT5P10TF Транзистор: P-MOSFET, полевой, -100В, -0,8А, 2Вт, SOT223
125 ₴
STGD7NC60HT4 IGBT транзистор, 25 А, 1.85 В, 70 Вт, 600 В
STGD7NC60HT4 IGBT транзистор, 25 А, 1.85 В, 70 Вт, 600 В
207.50 ₴
IRFH5007TRPBF MOSFET транзистор: N-канал, 75 В, 100 А, 5.9 мОм
IRFH5007TRPBF MOSFET транзистор: N-канал, 75 В, 100 А, 5.9 мОм
290 ₴
ZVP0545A Силовий МОП-транзистор, P Канал, 450 В, 45 мА, 150 Ом, E-Line, Through Hole
ZVP0545A Силовий МОП-транзистор, P Канал, 450 В, 45 мА, 150 Ом, E-Line, Through Hole
206.25 ₴
IRF7342TRPBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: DUAL P: Uси: 55 В: Iс (25 ° C): 3.4 А: Rсі (вкл): 0.105 ... 0.17 Ом: @
IRF7342TRPBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: DUAL P: Uси: 55 В: Iс (25 ° C): 3.4 А: Rсі (вкл): 0.105 ... 0.17 Ом: @
96.25 ₴
IRFB7530PBF MOSFET силовий транзистор TO-220: Тип: N: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 295 А: Rсі (вкл): 1.65 ... 2 мом:
IRFB7530PBF MOSFET силовий транзистор TO-220: Тип: N: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 295 А: Rсі (вкл): 1.65 ... 2 мом:
280 ₴