Prom – найбільший маркетплейс України

SI2304DDS-T1-GE3 МОП-транзистор: N-Channel, 30V 3.6A 1.7W 60mohm @ 10V

Код: 00-00051182
В наявності
11.25 ₴
Замовлення у продавця — від 400 ₴
Продавець Інтернет-магазин ЗНАКОМО! Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
97%

Доставка

  • Іконка доставки
    Підписка на доставку Smart
    Безкоштовно — у відділення Нової Пошти
    Дізнатися більше
  • Іконка доставки
    Нова Пошта

Оплата та гарантії

  • Іконка оплати
    Безпечна оплата карткою
    Зображення для Безпечна оплата карткою
    Без переплат
    Prom гарантує безпеку
    Повернемо гроші при відмові від посилки
  • Іконка оплати
    Післяплата
    Нова Пошта, Укрпошта
SI2304DDS-T1-GE3 МОП-транзистор: N-Channel, 30V 3.6A 1.7W 60mohm @ 10V - фото 1 - id-p3069002133

Характеристики та опис

Основні

Виробник
Vishay Intertechnology

Додаткові характеристики

СтанНовий

Користувальницькі характеристики

Id — безперервний струм витоку3.6 A
Pd — розсіювання потужності1.7 W
Qg - заряд затвора4.5 nC
Rds Вмик — опір стік-висток49 mOhms
Vds — напруга пробою стік-висток30 V
Артикул00-00051182
Вид монтажаSMD/SMT
Категорія продуктуМОП-транзистор
Кількість каналів1 Channel
КонфігураціяSingle
Полярність транзизораN-Channel
Розмір фабричної пачки3000
Тип корпусуSOT-23-3
Тип транзизора1 N-Channel
SI2304DDS-T1-GE3 Транзистор польовий MOSFET
МОП-транзистор: N-Channel, 30V 3.6A 1.7W 60mohm @ 10V

Відгуки та запитання

  • Відгуки (0)
  • Запитання (0)
Всі
Ще не було відгуків про даний товар
Був online: Сьогодні
Інтернет-магазин ЗНАКОМО! Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
Інтернет-магазин ЗНАКОМО! Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
97% позитивних відгуків

Схоже в інших продавців

BF820.215 Біполярний транзистор, NPN, 300 В, 100 МГц, 250 мВт, 50 мА, 50 hFE
BF820.215 Біполярний транзистор, NPN, 300 В, 100 МГц, 250 мВт, 50 мА, 50 hFE
11.25 ₴
BCV47.215 Транзистор: NPN: біполярний: Дарлінгтон: NPN, 60 В, 220 МГц, 250 мВт, 500 мА, 10000 hFE
BCV47.215 Транзистор: NPN: біполярний: Дарлінгтон: NPN, 60 В, 220 МГц, 250 мВт, 500 мА, 10000 hFE
11.25 ₴
IRF640NPBF MOSFET транзистор: N-канал, 200 В, 18 А, 150 мОм
IRF640NPBF MOSFET транзистор: N-канал, 200 В, 18 А, 150 мОм
27.50 ₴
KSC1845FTA Біполярний транзистор, NPN, 120 В, 110 МГц, 500 мВт, 50 мА, 300 hFE
KSC1845FTA Біполярний транзистор, NPN, 120 В, 110 МГц, 500 мВт, 50 мА, 300 hFE
22.50 ₴
BF840 Транзистор: NPN: біполярний: 40У: 25мА: 280мВт: SOT23
BF840 Транзистор: NPN: біполярний: 40У: 25мА: 280мВт: SOT23
22.50 ₴
BCX19LT1G Біполярний транзистор, NPN, 45 В, 500 мА, 225 мВт
BCX19LT1G Біполярний транзистор, NPN, 45 В, 500 мА, 225 мВт
10 ₴
SI2305CDS Транзистор: МОП р-канальний: польовий: -8В: -5,8А: 1,7Вт: SOT23
SI2305CDS Транзистор: МОП р-канальний: польовий: -8В: -5,8А: 1,7Вт: SOT23
11.25 ₴
BCX70HE6327 Транзистор: NPN: біполярний: 45У: 100мА: 330мВт
BCX70HE6327 Транзистор: NPN: біполярний: 45У: 100мА: 330мВт
5 ₴
FMMT494TA Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 120 V, 500 mA, 500 mW, SOT-23, Surface Mount
FMMT494TA Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 120 V, 500 mA, 500 mW, SOT-23, Surface Mount
20 ₴
FDN340P Транзистор: P-MOSFET: польовий: -50В: -0,13А: 0,25Вт: SOT23
FDN340P Транзистор: P-MOSFET: польовий: -50В: -0,13А: 0,25Вт: SOT23
22.50 ₴
BF421 Біполярний транзистор, PNP, 300 В, 250 мА, 0.83 Вт
BF421 Біполярний транзистор, PNP, 300 В, 250 мА, 0.83 Вт
10 ₴
AOSP21321 Транзистор: P-MOSFET, польовий, -30В, -8,5А, 2Вт, SO8
AOSP21321 Транзистор: P-MOSFET, польовий, -30В, -8,5А, 2Вт, SO8
27.50 ₴
IRLR024NTRPBF MOSFET транзистор: N-канал, 55 В, 17 А, 65 мОм
IRLR024NTRPBF MOSFET транзистор: N-канал, 55 В, 17 А, 65 мОм
25 ₴
MMBTA56LT1G Біполярний транзистор - [SOT-23-3]: Тип: PNP: UКЕ (макс): 80 В: IК (макс): 500 мА: Pрасс: 225 мВт: Fгран: 50 МГц: h21:
MMBTA56LT1G Біполярний транзистор - [SOT-23-3]: Тип: PNP: UКЕ (макс): 80 В: IК (макс): 500 мА: Pрасс: 225 мВт: Fгран: 50 МГц: h21:
3.75 ₴