Prom – найбільший маркетплейс України

IRF6217TRPBF

Код: 00-00031769
В наявності
11.25 ₴
Замовлення у продавця — від 400 ₴
Продавець Інтернет-магазин ЗНАКОМО! Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
97%

Доставка

  • Іконка доставки
    Підписка на доставку Smart
    Безкоштовно — у відділення Нової Пошти
    Дізнатися більше
  • Іконка доставки
    Нова Пошта

Оплата та гарантії

  • Іконка оплати
    Безпечна оплата карткою
    Зображення для Безпечна оплата карткою
    Без переплат
    Prom гарантує безпеку
    Повернемо гроші при відмові від посилки
  • Іконка оплати
    Післяплата
    Нова Пошта, Укрпошта
IRF6217TRPBF - фото 1 - id-p3069002128

Характеристики та опис

Додаткові характеристики

СтанНовий

Користувальницькі характеристики

Артикул00-00031769
КорпусSO8
МонтажSMD
Потужність2.5 Вт
Напруга стік-висток-150В
Полярністьпольовою
ВиробникInfineon (IRF)
ТехнологіяHEXFET®
Тип транзизораP-MOSFET
Ток стока-0.7А
IRF6217TRPBF Транзистор польовий MOSFET

Відгуки та запитання

  • Відгуки (0)
  • Запитання (0)
Всі
Ще не було відгуків про даний товар
Був online: Вчора
Інтернет-магазин ЗНАКОМО! Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
Інтернет-магазин ЗНАКОМО! Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
97% позитивних відгуків

Схоже в інших продавців

AO4498 Транзистор: N-MOSFET: польовий: 30У: 14А: 2Вт
AO4498 Транзистор: N-MOSFET: польовий: 30У: 14А: 2Вт
23.75 ₴
PDTC114YU.115 Транзистор: NPN: біполярний: BRT: напруга 50 В: струм 100 мА: втрати потужності 200 мВт: частота 230 мГц: резистор
PDTC114YU.115 Транзистор: NPN: біполярний: BRT: напруга 50 В: струм 100 мА: втрати потужності 200 мВт: частота 230 мГц: резистор
2.50 ₴
FTU45N06N Транзистор: N-MOSFET: 60В: 21А: 33 мОм: 31Вт
FTU45N06N Транзистор: N-MOSFET: 60В: 21А: 33 мОм: 31Вт
32.50 ₴
AO6604-UMW N-Channel+P-Channel Array 20V 3.4A 2.5A 1.1W 1.1W, SOT-23-6
AO6604-UMW N-Channel+P-Channel Array 20V 3.4A 2.5A 1.1W 1.1W, SOT-23-6
12.50 ₴
BC847BPDW1T2G Транзистор: NPN/PNP, біполярний, додаткова пара, 45В, 0,1А
BC847BPDW1T2G Транзистор: NPN/PNP, біполярний, додаткова пара, 45В, 0,1А
22.50 ₴
BCR10PNH6327 Транзистор: NPN / PNP, біполярний, 50 В, 100 мА, 250 мВт, SOT363
BCR10PNH6327 Транзистор: NPN / PNP, біполярний, 50 В, 100 мА, 250 мВт, SOT363
10 ₴
CS6562LO 600V 75A 390W
CS6562LO 600V 75A 390W
20 ₴
SSM3K72KFS,LF Транзистор: N-MOSFET, польовий, 60В, 0,3А, 150мВт
SSM3K72KFS,LF Транзистор: N-MOSFET, польовий, 60В, 0,3А, 150мВт
12.50 ₴
BC850BLT1G Транзистор: NPN: біполярний: 45У: 0,1А: 225мВт
BC850BLT1G Транзистор: NPN: біполярний: 45У: 0,1А: 225мВт
3.75 ₴
2N7002-7-F Транзистор, N-канал, 60В, 0.3А
2N7002-7-F Транзистор, N-канал, 60В, 0.3А
3.75 ₴
YJD60N02A N-канал, 35 Вт, 430 пФ, 6 mOhm
YJD60N02A N-канал, 35 Вт, 430 пФ, 6 mOhm
21.25 ₴
FDC655BN Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 6.3 А, 0.021 Ом, SuperSOT, Surface Mount
FDC655BN Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 6.3 А, 0.021 Ом, SuperSOT, Surface Mount
26.25 ₴
FDN304P-UMW MOSFET транзистор - SOT-23-3: Тип: P: Uсі: 20 В: Iс(25°C): 2.4 А: Rсі(вкл): 52 мОм: @Uзатв(ном) 4,5...10 В.
FDN304P-UMW MOSFET транзистор - SOT-23-3: Тип: P: Uсі: 20 В: Iс(25°C): 2.4 А: Rсі(вкл): 52 мОм: @Uзатв(ном) 4,5...10 В.
7.50 ₴
2SA1015 Транзистор 2SA1015 PNP U = 50В, I = 0.15A, Р = 0.4Вт, f = 80МГц. Classification of hFE1: 200...400
2SA1015 Транзистор 2SA1015 PNP U = 50В, I = 0.15A, Р = 0.4Вт, f = 80МГц. Classification of hFE1: 200...400
2.50 ₴