STP4NA80
Код: 0475В наявності
38 ₴
Замовлення цього товару — від 7 шт.
Замовлення у продавця — від 250 ₴Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта (Безкоштовно за умови)
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
ПісляплатаНова Пошта
Оплата на рахунокIBAN UA513220010000026000330156328
Характеристики та опис
| Виробник | PD |
|---|
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Pdⓘ - Максимальна потужність, що розсіюється: 110 W
|Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга стік-витік: 800 V
|Vgs|ⓘ - Гранично допустима напруга затвор-витік: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга включення: 3.75 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 4 A
Tjⓘ - Максимальна температура каналу: 150 °C
Qgⓘ - Загальний заряд затвора: 44 nC
trⓘ - Час наростання: 70 ns
Cossⓘ - Вихідна ємність: 105 pf
Rdsⓘ - Опір стік-витік відкритого транзистора: 6 Ohm
Тип корпусу: TO220
Полярність: N
Pdⓘ - Максимальна потужність, що розсіюється: 110 W
|Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга стік-витік: 800 V
|Vgs|ⓘ - Гранично допустима напруга затвор-витік: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга включення: 3.75 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 4 A
Tjⓘ - Максимальна температура каналу: 150 °C
Qgⓘ - Загальний заряд затвора: 44 nC
trⓘ - Час наростання: 70 ns
Cossⓘ - Вихідна ємність: 105 pf
Rdsⓘ - Опір стік-витік відкритого транзистора: 6 Ohm
Тип корпусу: TO220
