
| Виробник | MPS |
|---|---|
| Тип біполярного транзистора | N-P-N |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
2Т671А-2
Транзистори 2Т671А-2 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n генераторні.
Призначені для застосування в генераторах і підсилювачах у діапазоні частот до 8,5 ГГц у складі гібридних інтегральних мікросхем, мікросхем.
Використовуються для роботи в електронній апаратурі спеціального призначення.
Транзистори безкорпусні на керамічному кристалотримачі з гнучкими виведеннями.
Маркуються кольоровим кодом — знаком «Т» на кришці транзистори.
Тип приладу вказується в етикетці.
Маса транзизора не більш ніж 0,2 г.
Тип корпусу: КТ-22.
Категорія якості: «ВП».
Технічні умови:
- приймання «5» — АА0.339.577ТУ.
Завубільний аналог: NE56854.
Гарантійний термін зберігання транзисторів — 25 років із дати приймання, а в разі переперевірки виробу — з дати переперевірки.
Гарантійне напрацювання:
- 25 000 годин — у всіх режимах, що допускаються ТУ;
— 40000 годин — у полегшеному режимі.
Гарантійне напрацювання обчислюється в межах гарантійного терміну зберігання.

| Тип транзизора |
Структура | Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C | Значення параметрів за Тп = 25 °C | TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭR max (UКЭ0 max) |
UКБ0 max | UЭБ0 max | UПИТ max | РК. СР. max (РК. Т. max) |
h21Э | UКЭ нас. |
IКБО | IЭБО | f раб. | PВЫХ | КУР | ||||
| мА | мА | В | В | В | В | Вт | В | мА | мА | ГГц | мВт | дБ | °С | °С | |||
| 2Т671А-2 | n-p-n | 150 | 150 | - | 15 | 1,5 | 13 | 1,3 (0,9) | - | - | <1 | <0,4 | 8,5 | >300 | >4,8 | 190 | -60...+125 |