Prom – найбільший маркетплейс України

ГТ402А

Код: ГТ402А
5.0 (1)
30+ купили
Готово до відправки
25 ₴
Замовлення у продавця — від 50 ₴
Продавець ПП Правдивий
97%

Доставка

  • Іконка доставки
    Нова Пошта

Оплата та гарантії

  • Іконка оплати
    Післяплата
    Нова Пошта, Укрпошта, Самовивіз
  • Іконка оплати
    Оплата на рахунок
    IBAN UA693052990000026000006708161
ГТ402А - фото 1 - id-p1487410257

Характеристики та опис

Транзистори ГТ402А ( 0,5А 25В ) германієві сплавні структури  p-n-p підсилювальні

Відгуки та запитання

5.0 
  • Відгуки (1)
  • Запитання (0)
  • 20.07.2025
    Стас М.
     Придбано на Prom.ua
Був online: Сьогодні
ПП Правдивий
97% позитивних відгуків

Схоже в інших продавців

IRF6619TR1 Транзистор польовий N-Channel 20 В, 30 А, 2.8 Вт, DirectFET-7 MX, -40 ... 150 ° C
IRF6619TR1 Транзистор польовий N-Channel 20 В, 30 А, 2.8 Вт, DirectFET-7 MX, -40 ... 150 ° C
67.50 ₴
HPTMIB-4D/TR7 Phototransistor 900nm 20V 24 ° Lens: transparent
HPTMIB-4D/TR7 Phototransistor 900nm 20V 24 ° Lens: transparent
42.50 ₴
AOD480 Транзистор: N-MOSFET: польовий: 30У: 18А: 21Вт
AOD480 Транзистор: N-MOSFET: польовий: 30У: 18А: 21Вт
30 ₴
IRLR110PBF MOSFET транзистор: N-канал, 100 В, 17 А
IRLR110PBF MOSFET транзистор: N-канал, 100 В, 17 А
75 ₴
BCX38C Транзистор Дарлінгтона TO92-3, 0.8 А, колектор емітер: 60 В, емітер-база: 10 В, 1 Вт, -55 ... 150 ° C
BCX38C Транзистор Дарлінгтона TO92-3, 0.8 А, колектор емітер: 60 В, емітер-база: 10 В, 1 Вт, -55 ... 150 ° C
98.80 ₴
BFP650FH6327 Біполярний - РЧ транзистор, NPN, 4 В, 42 ГГц, 500 мВт, 150 мА, 110 hFE
BFP650FH6327 Біполярний - РЧ транзистор, NPN, 4 В, 42 ГГц, 500 мВт, 150 мА, 110 hFE
32.50 ₴
2N2102 Транзистор: NPN: біполярний: 65В: 1А: 1/5Вт: TO39
2N2102 Транзистор: NPN: біполярний: 65В: 1А: 1/5Вт: TO39
55 ₴
IRFR120ZPBF MOSFET силовий транзистор - [TO-252-3]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 8.7 А: Rсі (вкл): 0.19 Ом: @ Uзатв (ном): 10
IRFR120ZPBF MOSFET силовий транзистор - [TO-252-3]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 8.7 А: Rсі (вкл): 0.19 Ом: @ Uзатв (ном): 10
50 ₴
IRF9610PBF MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3]: Тип: P: Uси: 200 В: Iс (25 ° C): 7 А: Rсі (вкл): 3 Ом: @ Uзатв (ном): 4.5 В:
IRF9610PBF MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3]: Тип: P: Uси: 200 В: Iс (25 ° C): 7 А: Rсі (вкл): 3 Ом: @ Uзатв (ном): 4.5 В:
85 ₴
2N1893 Транзистор: NPN: біполярний: 80В: 0,5А: 0,8/3Вт: TO39
2N1893 Транзистор: NPN: біполярний: 80В: 0,5А: 0,8/3Вт: TO39
85 ₴
IRFB4110PBF MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 180 А: Rсі (вкл): 4.5 мом: @ Uзатв (ном): 10
IRFB4110PBF MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 180 А: Rсі (вкл): 4.5 мом: @ Uзатв (ном): 10
82.50 ₴
2SC3357 Радіочастотний біполярний транзистор, NPN, Ic = 0.1А, Vceo = 12В, Pd = 1.2Вт, Ft = 6.5ГГц
2SC3357 Радіочастотний біполярний транзистор, NPN, Ic = 0.1А, Vceo = 12В, Pd = 1.2Вт, Ft = 6.5ГГц
76.30 ₴
2N5416 Транзистор: PNP, біполярний, 300В, 1А, 1/10Вт, TO39
2N5416 Транзистор: PNP, біполярний, 300В, 1А, 1/10Вт, TO39
75 ₴
BF721T1G Біполярний транзистор - SOT-89, Тип: PNP, UКЕ (макс): 300 В, IК (макс): 50 мА, Pрасс: 1.5 Вт, Fгран: 60 МГц, h21: 50
BF721T1G Біполярний транзистор - SOT-89, Тип: PNP, UКЕ (макс): 300 В, IК (макс): 50 мА, Pрасс: 1.5 Вт, Fгран: 60 МГц, h21: 50
36.30 ₴