Prom – найбільший маркетплейс України

BD679A Plastic Medium-Power Silicon NPN Darlingtons 80V, 4A,40W ST

Код: 68745
Готово до відправки
14.64 ₴
16.27 ₴
Замовлення у продавця — від 300 ₴
Продавець РАДІОМАГ ПРОМ
97%

Доставка

  • Іконка доставки
    Підписка на доставку Smart
    Безкоштовно — у відділення Нової Пошти
    Дізнатися більше
  • Іконка доставки
    Нова Пошта

Оплата та гарантії

  • Іконка оплати
    Безпечна оплата карткою
    Зображення для Безпечна оплата карткою
    Без переплат
    Prom гарантує безпеку
    Повернемо гроші при відмові від посилки
  • Іконка оплати
    Оплата на рахунок
    IBAN UA263052990000026009045026054
BD679A Plastic Medium-Power Silicon NPN Darlingtons 80V, 4A,40W ST - фото 1 - id-p1305101898

Характеристики та опис

Одиниця виміру: шт
Виробник: ST
Корпус: TO-126
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 4 А
Примітка: Дарлінгтон
Монтаж: THT

Відгуки та запитання

  • Відгуки (0)
  • Запитання (0)
Всі
Ще не було відгуків про даний товар
Був online: Сьогодні
РАДІОМАГ ПРОМ
РАДІОМАГ ПРОМ
97% позитивних відгуків

Схоже в інших продавців

FTW20N50A-IPS N-канальний MOSFET, 500 В, 20 А, опір відкритого каналу 0.26 Ом
FTW20N50A-IPS N-канальний MOSFET, 500 В, 20 А, опір відкритого каналу 0.26 Ом
202.50 ₴
IPD600N25N3GBTMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 250В, 25А, 136Вт
IPD600N25N3GBTMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 250В, 25А, 136Вт
263.75 ₴
2N5682 Транзистор: NPN: біполярний: 120В: 1А: 1/10Вт: TO39
2N5682 Транзистор: NPN: біполярний: 120В: 1А: 1/10Вт: TO39
96.25 ₴
IRFP4332PBF MOSFET транзистор: N-канал, 250 В, 57 А
IRFP4332PBF MOSFET транзистор: N-канал, 250 В, 57 А
232.50 ₴
IRF630STRLPBF
IRF630STRLPBF
187.50 ₴
2SB817 140V 100W 12A PNP TO-3PN Bipolar (BJT)
2SB817 140V 100W 12A PNP TO-3PN Bipolar (BJT)
216.25 ₴
NCE40TD65BT IGBT + Diode, 286W, 650V, 80A, TO247
NCE40TD65BT IGBT + Diode, 286W, 650V, 80A, TO247
161.25 ₴
BUL310FP Біполярний транзистор, Тип: NPN, UКЕ (макс): 500 В, UКЕ (пад): 1.1 В, IК (макс): 5 А, Pрасс: 36 Вт, h21: 6 ... 14
BUL310FP Біполярний транзистор, Тип: NPN, UКЕ (макс): 500 В, UКЕ (пад): 1.1 В, IК (макс): 5 А, Pрасс: 36 Вт, h21: 6 ... 14
130 ₴
STS4DNF60L MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 4 А: Rсі (вкл): 55 мом: @ Uзатв (ном): 10 В:
STS4DNF60L MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 4 А: Rсі (вкл): 55 мом: @ Uзатв (ном): 10 В:
121.25 ₴
SGT40N60FD2PN 380 Вт, 600 В, 80 А
SGT40N60FD2PN 380 Вт, 600 В, 80 А
132.50 ₴
NCEP85T16 N-ch 85V 160A 3.1mΩ
NCEP85T16 N-ch 85V 160A 3.1mΩ
105 ₴
HYG065N15NS1B N-Channel 150V 165A 375W Surface Mount TO-263-2L
HYG065N15NS1B N-Channel 150V 165A 375W Surface Mount TO-263-2L
245 ₴
SI7997DP-T1-GE3 Подвійний МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 60 А, 0.0045 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount
SI7997DP-T1-GE3 Подвійний МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 60 А, 0.0045 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount
246.25 ₴
IRF7862PBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 30 В: Rсі (вкл): 3.3 ... 4.5 мом: @ Uзатв (ном): 4.5 ... 10 В:
IRF7862PBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 30 В: Rсі (вкл): 3.3 ... 4.5 мом: @ Uзатв (ном): 4.5 ... 10 В:
97.50 ₴