Prom – найбільший маркетплейс України
На жаль, товар недоступний. Переглянь товари від інших продавців

ГТ 806 А

Недоступний
Ціну уточнюйте

Характеристики та опис

Транзистор

Відгуки та запитання

  • Відгуки (0)
  • Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця

Схоже в інших продавців

IRFB4332PBF MOSFET силовий транзистор - Тип: N: Uси: 250 В: Iс (25 ° C): 60 А: Rсі (вкл): 33 мом: @ Uзатв (ном): 10 В: Uзатв
IRFB4332PBF MOSFET силовий транзистор - Тип: N: Uси: 250 В: Iс (25 ° C): 60 А: Rсі (вкл): 33 мом: @ Uзатв (ном): 10 В: Uзатв
277.50 ₴
SN75469DR Driver: peripheral controller: 500мА: 0 ... 100В: Канали: 7: SO16
SN75469DR Driver: peripheral controller: 500мА: 0 ... 100В: Канали: 7: SO16
257.50 ₴
IPD082N10N3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 80А, 125Вт
IPD082N10N3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 80А, 125Вт
236.30 ₴
STF21NM60N MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 600 В: Iс (25 ° C): 17 А: Rсі (вкл): 0.24 Ом: @ Uзатв (ном): 10
STF21NM60N MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 600 В: Iс (25 ° C): 17 А: Rсі (вкл): 0.24 Ом: @ Uзатв (ном): 10
260 ₴
IRFI510GPBF MOSFET силовий транзистор - Тип: N: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 4.5 А: Rсі (вкл): 0.54 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В: Uзатв
IRFI510GPBF MOSFET силовий транзистор - Тип: N: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 4.5 А: Rсі (вкл): 0.54 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В: Uзатв
241.30 ₴
STP13NK60Z MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 600 В: Iс (25 ° C): 13 А: Rсі (вкл): 0.55 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:
STP13NK60Z MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 600 В: Iс (25 ° C): 13 А: Rсі (вкл): 0.55 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:
365 ₴
NCE80TD60BT IGBT + Diode, 390W, 600V, 160A, TO247
NCE80TD60BT IGBT + Diode, 390W, 600V, 160A, TO247
240 ₴
IRL540NPBF MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 36 А: Rсі (вкл): 44 ... 63 мом: @ Uзатв (ном):
IRL540NPBF MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 36 А: Rсі (вкл): 44 ... 63 мом: @ Uзатв (ном):
140 ₴
STGD18N40LZT4 БТІЗ транзистор, 25 А, 1.35 В, 125 Вт, 390 В, TO-252, 3
STGD18N40LZT4 БТІЗ транзистор, 25 А, 1.35 В, 125 Вт, 390 В, TO-252, 3
388.80 ₴
STP13N65M2 Транзистор: N-MOSFET, польовий, N-Channel 650 V 10A (Tc) 110W
STP13N65M2 Транзистор: N-MOSFET, польовий, N-Channel 650 V 10A (Tc) 110W
382.50 ₴
IRF5210PBF MOSFET транзистор: P-канал, 100 В, 40 А, 60 мОм
IRF5210PBF MOSFET транзистор: P-канал, 100 В, 40 А, 60 мОм
131.30 ₴
IRFB33N15DPBF MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 150 В: Iс (25 ° C): 33 А: Rсі (вкл): 56 мом: @ Uзатв (ном): 10
IRFB33N15DPBF MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 150 В: Iс (25 ° C): 33 А: Rсі (вкл): 56 мом: @ Uзатв (ном): 10
181.30 ₴
IRFP22N60KPBF-VB 650V 20A 208W 190mΩ@10V 4V@250uA TO-247AC Single FETs, MOSFETs
IRFP22N60KPBF-VB 650V 20A 208W 190mΩ@10V 4V@250uA TO-247AC Single FETs, MOSFETs
236.30 ₴
CSD200 Транзистор: NPN: біполярний: 1,5 кв: 2,5А: 16Вт: TO3
CSD200 Транзистор: NPN: біполярний: 1,5 кв: 2,5А: 16Вт: TO3
182.50 ₴