Діод КДД503Б

Діоди КД503А кремнієві, епітаксичні, імпульсні.
Призначені для застосування як перемикальні елементи в імпульсних швидкодійних пристроях наносекундного діапазону.
Випускаються в скляному корпусі з гнучкими виведеннями.
Тип діода та схема з'єднання електродів із виведеннями наводяться на корпусі.

Основні технічні характеристики діода КД503Б:
• Uoбp max — Максимальна постійна зворотна напруга: 30 В;
• Inp max — Максимальний прямий струм: 20 мА;
• fд — Робоча частота діода: 350 мГц;
• Unp — Постійна пряма напруга: не більш ніж 1 В за Inp 10 мА;
• Ioбp — Постійний зворотний струм: не більш ніж 10 мкА за Uoбp 30 В;
• tвoc обр — Час зворотного відновлення: 0,01 мкс;
• Сд — Загальна місткість: 2,5 ПФ