Prom – найбільший маркетплейс України

2SC1815-GR

Код: 10305
5.0 (1)
20+ купили
В наявності
1.35 ₴
Картка Rozetka
+5%
бонусів з карткою Rozetka
Замовлення у продавця — від 50 ₴
Продавець Магазин радиодеталей Реостат
100%

Доставка

  • Іконка доставки
    Підписка на доставку Smart
    Безкоштовно — у відділення Нової Пошти
    Дізнатися більше
  • Іконка доставки
    Нова Пошта

Оплата та гарантії

  • Іконка оплати
    Безпечна оплата карткою
    Зображення для Безпечна оплата карткою
    Без переплат
    Prom гарантує безпеку
    Повернемо гроші при відмові від посилки
  • Іконка оплати
    Післяплата
    Нова Пошта
2SC1815-GR - фото 1 - id-p1015243334

Характеристики та опис

Основні

Виробник
Toshiba

Користувальницькі характеристики

Тип транзистораNPN
КорпусTO-92
2SC1815-GR

Відгуки та запитання

5.0 
  • Відгуки (1)
  • Запитання (0)
  • 05.05.2025
    Олександр П.
     Придбано на Prom.ua
Був online: Сьогодні
Магазин радиодеталей Реостат
100% позитивних відгуків

Схоже в інших продавців

BSS87H6327FTSA1 Транзистор: N-MOSFET: польовий: напруга 240В: ток 0,26А: потужність 1Вт: опір 6 Ом
BSS87H6327FTSA1 Транзистор: N-MOSFET: польовий: напруга 240В: ток 0,26А: потужність 1Вт: опір 6 Ом
48.80 ₴
IRLL014NTRPBF MOSFET силовий транзистор - Тип: N: Uси: 55 В: Iс (25 ° C): 2 А: Rсі (вкл): 0.14 ... 0.28 Ом: @ Uзатв (ном): 4.5 ...
IRLL014NTRPBF MOSFET силовий транзистор - Тип: N: Uси: 55 В: Iс (25 ° C): 2 А: Rсі (вкл): 0.14 ... 0.28 Ом: @ Uзатв (ном): 4.5 ...
32.50 ₴
IRL6372PBF MOSFET силовий транзистор - Примітка: DUAL N CH HEXFET POWER MOSFET, 30V, 8.1A
IRL6372PBF MOSFET силовий транзистор - Примітка: DUAL N CH HEXFET POWER MOSFET, 30V, 8.1A
37.50 ₴
AOD472-VB 20V 100A 8.3W 1.5V 1 N-Channel TO-252-2 MOSFETs
AOD472-VB 20V 100A 8.3W 1.5V 1 N-Channel TO-252-2 MOSFETs
55 ₴
SFH3015FA (Q65110A9730), Фототранзистор smd 3,2х1,6мм/770-1090нм/13
SFH3015FA (Q65110A9730), Фототранзистор smd 3,2х1,6мм/770-1090нм/13
41.30 ₴
IPA60R280P7SXKSA1 Силовий МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 12 А, 0.214 Ом, TO-220FP, Through Hole
IPA60R280P7SXKSA1 Силовий МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 12 А, 0.214 Ом, TO-220FP, Through Hole
86.30 ₴
CRTD700P10L 100V 26A 59mΩ@10V 2V@250uA 1 P-Channel 102W TO-252 Single FETs, MOSFETs
CRTD700P10L 100V 26A 59mΩ@10V 2V@250uA 1 P-Channel 102W TO-252 Single FETs, MOSFETs
28.80 ₴
STN4NF20L MOSFET польовий транзистор - SOT-223: Тип: N: Uси: 200 В: Iс (25 ° C): 1 А: Rсі (вкл): 1.5 Ом
STN4NF20L MOSFET польовий транзистор - SOT-223: Тип: N: Uси: 200 В: Iс (25 ° C): 1 А: Rсі (вкл): 1.5 Ом
66.30 ₴
IRF8721PBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 30 В: Rсі (вкл): 8.5 ... 12.5 мом: @ Uзатв (ном): 4.5 ... 10 В:
IRF8721PBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 30 В: Rсі (вкл): 8.5 ... 12.5 мом: @ Uзатв (ном): 4.5 ... 10 В:
66.30 ₴
IRFR120ZPBF MOSFET силовий транзистор - [TO-252-3]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 8.7 А: Rсі (вкл): 0.19 Ом: @ Uзатв (ном): 10
IRFR120ZPBF MOSFET силовий транзистор - [TO-252-3]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 8.7 А: Rсі (вкл): 0.19 Ом: @ Uзатв (ном): 10
50 ₴
FDN306P МОП-транзистор, P Канал, -2.6 А, -12 В, 0.04 Ом, -4.5 В, -600 мВ
FDN306P МОП-транзистор, P Канал, -2.6 А, -12 В, 0.04 Ом, -4.5 В, -600 мВ
56.30 ₴
NTS4173PT1G МОП-транзистор, P Канал, -1.2 А, -30 В, 0.09 Ом, -10 В, -1.15 В
NTS4173PT1G МОП-транзистор, P Канал, -1.2 А, -30 В, 0.09 Ом, -10 В, -1.15 В
33.80 ₴
2N6037 Транзистор: NPN: біполярний: Дарлінгтон: 40В: 4А: 1,5/40Вт: TO126
2N6037 Транзистор: NPN: біполярний: Дарлінгтон: 40В: 4А: 1,5/40Вт: TO126
47.50 ₴
2SJ377 Транзистор польовий MOSFET, Кількість каналів: 1, Полярність: P-Channel
2SJ377 Транзистор польовий MOSFET, Кількість каналів: 1, Полярність: P-Channel
50 ₴