Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор IGBT Silan Microelectronics в Україні

Транзистор IGBT SGT50T65FD1PN
Транзистор IGBT SGT50T65FD1PN
Готово до відправки
5.0 
75 

Транзистор IGBT JT040K065WED 40A 650В TO247, силовий, Original
Транзистор IGBT JT040K065WED 40A 650В TO247, силовий, Original
Готово до відправки
5.0 
99 

SGT50T65FD1PN Транзистор IGBT 650V 50A/100A
SGT50T65FD1PN Транзистор IGBT 650V 50A/100A
В наявності
123.75 

SGT60N60FD1P7 Тип транзистора: IGBT + Diode, 600 V, 321 W, 120 A @25 , TO247
SGT60N60FD1P7 Тип транзистора: IGBT + Diode, 600 V, 321 W, 120 A @25 , TO247
В наявності
від 25 /міс
246.25 

SGT40N60FD2PN 380 Вт, 600 В, 80 А
SGT40N60FD2PN 380 Вт, 600 В, 80 А
В наявності
132.50 

SGT40N60NPFDPN 290 Вт, 600 В, 80 А
SGT40N60NPFDPN 290 Вт, 600 В, 80 А
В наявності
132.50 

SGT40N60FD2P7 380 Вт, 600 В, 80 А
SGT40N60FD2P7 380 Вт, 600 В, 80 А
В наявності
140 

SGT50T65FD1P7 235 Вт, 650 В, 100 А
SGT50T65FD1P7 235 Вт, 650 В, 100 А
В наявності
156.25 

SGT20T60SDM1P7 46 Вт, 600 В, 40 А
SGT20T60SDM1P7 46 Вт, 600 В, 40 А
В наявності
188.75 

SGT60N60FD1PN 321 Вт, 600 В, 120 А
SGT60N60FD1PN 321 Вт, 600 В, 120 А
В наявності
2.0 
від 20 /міс
205 

SGT40U120FD1P7 IGBT + Diode, 312 W, 1200 V, 80 A @25 , TO247
SGT40U120FD1P7 IGBT + Diode, 312 W, 1200 V, 80 A @25 , TO247
В наявності
від 26 /міс
262.50 

SGT60T65FD1PN 450 Вт, 650 В, 120 А
SGT60T65FD1PN 450 Вт, 650 В, 120 А
В наявності
від 27 /міс
273.75 

SGT25U120FD1P7 IGBT + Diode, N, 278 W, Vce: 1200 V, Ic: 50 A, 128 pF
SGT25U120FD1P7 IGBT + Diode, N, 278 W, Vce: 1200 V, Ic: 50 A, 128 pF
В наявності
від 32 /міс
320 

SGT75T65SDM1P7 416 Вт, 650 В, 150 А
SGT75T65SDM1P7 416 Вт, 650 В, 150 А
В наявності
від 36 /міс
360 

SGT40T120FD1P7 NPN 312 W 1.2 kV 80 A
SGT40T120FD1P7 NPN 312 W 1.2 kV 80 A
В наявності
від 39 /міс
391.25 

SGT75T65SDM1P7 416 Вт, 650 В, 150 А
SGT75T65SDM1P7 416 Вт, 650 В, 150 А
В наявності
від 36 /міс
360