Prom – найбільший маркетплейс України

Струм насичення в Україні

CDRH127/LDNP-180MC Котушка індуктивності 18 +/- 20% мкГн. У корпусі SMD розмір 12,3х12,3x8,0, Струм насичення 5.1 A
CDRH127/LDNP-180MC Котушка індуктивності 18 +/- 20% мкГн. У корпусі SMD розмір 12,3х12,3x8,0, Струм насичення 5.1 A
В наявності
27.50 

CDRH3D16NP-220NC Котушка індуктивності 22 +/- 30% мкГн. У корпусі SMD розмір 4,0х4,0x1,8, Струм насичення 0.4 A
CDRH3D16NP-220NC Котушка індуктивності 22 +/- 30% мкГн. У корпусі SMD розмір 4,0х4,0x1,8, Струм насичення 0.4 A
В наявності
62.50 

CDRH127/LDNP-820MC Котушка індуктивності 82 +/- 20% мкГн. У корпусі SMD розмір 12,3х12,3x8,0, Струм насичення 2.4 A
CDRH127/LDNP-820MC Котушка індуктивності 82 +/- 20% мкГн. У корпусі SMD розмір 12,3х12,3x8,0, Струм насичення 2.4 A
В наявності
88.75 

CDRH127NP-101MC Котушка індуктивності 100 +/- 20% мкГн. У корпусі SMD розмір 12,3х12,3x8,0, Струм насичення 1.7 A
CDRH127NP-101MC Котушка індуктивності 100 +/- 20% мкГн. У корпусі SMD розмір 12,3х12,3x8,0, Струм насичення 1.7 A
В наявності
67.50 

CDRH127/LDNP-121MC Котушка індуктивності 120 +/- 20% мкГн. У корпусі SMD розмір 12,3х12,3x8,0, Струм насичення 1.9 A
CDRH127/LDNP-121MC Котушка індуктивності 120 +/- 20% мкГн. У корпусі SMD розмір 12,3х12,3x8,0, Струм насичення 1.9 A
В наявності
27.50 

CDRH104RNP-151NC Дросель - Струм: 850 мА: Індуктивність: 150 мкГн: Допуск: ± 30%: Насичення: 1.15 А: Перегрів: 850 мА: Корпус: SMD
CDRH104RNP-151NC Дросель - Струм: 850 мА: Індуктивність: 150 мкГн: Допуск: ± 30%: Насичення: 1.15 А: Перегрів: 850 мА: Корпус: SMD
В наявності
82.50 

CDRH127/LDNP-180MC Котушка індуктивності 18 +/- 20% мкГн. У корпусі SMD розмір 12,3х12,3x8,0, Струм насичення 5.1 A
CDRH127/LDNP-180MC Котушка індуктивності 18 +/- 20% мкГн. У корпусі SMD розмір 12,3х12,3x8,0, Струм насичення 5.1 A
В наявності
27.50 

CDRH3D16NP-220NC Котушка індуктивності 22 +/- 30% мкГн. У корпусі SMD розмір 4,0х4,0x1,8, Струм насичення 0.4 A
CDRH3D16NP-220NC Котушка індуктивності 22 +/- 30% мкГн. У корпусі SMD розмір 4,0х4,0x1,8, Струм насичення 0.4 A
В наявності
62.50 

CDRH127/LDNP-820MC Котушка індуктивності 82 +/- 20% мкГн. У корпусі SMD розмір 12,3х12,3x8,0, Струм насичення 2.4 A
CDRH127/LDNP-820MC Котушка індуктивності 82 +/- 20% мкГн. У корпусі SMD розмір 12,3х12,3x8,0, Струм насичення 2.4 A
В наявності
91.25 

CDRH127NP-101MC Котушка індуктивності 100 +/- 20% мкГн. У корпусі SMD розмір 12,3х12,3x8,0, Струм насичення 1.7 A
CDRH127NP-101MC Котушка індуктивності 100 +/- 20% мкГн. У корпусі SMD розмір 12,3х12,3x8,0, Струм насичення 1.7 A
В наявності
70 

CDRH104RNP-151NC Дросель - Струм: 850 мА: Індуктивність: 150 мкГн: Допуск: ± 30%: Насичення: 1.15 А: Перегрів: 850 мА: Корпус: SMD
CDRH104RNP-151NC Дросель - Струм: 850 мА: Індуктивність: 150 мкГн: Допуск: ± 30%: Насичення: 1.15 А: Перегрів: 850 мА: Корпус: SMD
В наявності
80 

CDRH104RNP-680NC Дросель - Струм: 1.42 А: Індуктивність: 68 мкГн: Допуск: ± 30%: Насичення: 1.5 А: Перегрів: 1.42 А: Корпус: SMD
CDRH104RNP-680NC Дросель - Струм: 1.42 А: Індуктивність: 68 мкГн: Допуск: ± 30%: Насичення: 1.5 А: Перегрів: 1.42 А: Корпус: SMD
В наявності
80 

CDRH127/LDNP-121MC Котушка індуктивності 120 +/- 20% мкГн. У корпусі SMD розмір 12,3х12,3x8,0, Струм насичення 1.9 A
CDRH127/LDNP-121MC Котушка індуктивності 120 +/- 20% мкГн. У корпусі SMD розмір 12,3х12,3x8,0, Струм насичення 1.9 A
В наявності
27.50 

CDRH8D28NP-4R7NC Дросель - Струм: 3.4 А: Індуктивність: 4.7 мкГн: Допуск: ± 30%: Насичення: 3.4 А: Перегрів: 4.5 А. Магнітне
CDRH8D28NP-4R7NC Дросель - Струм: 3.4 А: Індуктивність: 4.7 мкГн: Допуск: ± 30%: Насичення: 3.4 А: Перегрів: 4.5 А. Магнітне
В наявності
65 

MBQ40T120QESTH IGBT транзистор, Напруга насичення колектор-емітер: 2,1В, Струм колектора при нульовій напрузі затвора: 1мА
MBQ40T120QESTH IGBT транзистор, Напруга насичення колектор-емітер: 2,1В, Струм колектора при нульовій напрузі затвора: 1мА
В наявності
від 36 /міс
363.75 

RCH895NP-121K Дросель - Струм: 670 мА: Індуктивність: 120 мкГн: Допуск: ± 10%: Насичення: 820 мА: Перегрів: 670 мА: Корпус: Radial
RCH895NP-121K Дросель - Струм: 670 мА: Індуктивність: 120 мкГн: Допуск: ± 10%: Насичення: 820 мА: Перегрів: 670 мА: Корпус: Radial
В наявності
41.25 

MBQ75T65PEHTH IGBT транзистор, Напруга насичення колектор-емітер: 1,7В, Струм колектора при нульовій напрузі затвора: 20 мкА
MBQ75T65PEHTH IGBT транзистор, Напруга насичення колектор-емітер: 1,7В, Струм колектора при нульовій напрузі затвора: 20 мкА
В наявності
від 43 /міс
428.75 

CDRH105RNP-560NC Дросель - Струм: 1.9 А, Индуктивность: 56 мкГн, Допуск: ± 30%, Насичення: 1.9 А, Перегрів: 1.9 А, Корпус: SMD
CDRH105RNP-560NC Дросель - Струм: 1.9 А, Индуктивность: 56 мкГн, Допуск: ± 30%, Насичення: 1.9 А, Перегрів: 1.9 А, Корпус: SMD
В наявності
97.50 

CDRH5D28RHPNP-470MC Дросель - Струм: 850 мА: Індуктивність: 47 мкГн: Допуск: ± 20%: Насичення: 1.2 А: Перегрів: 850 мА: Корпус:
CDRH5D28RHPNP-470MC Дросель - Струм: 850 мА: Індуктивність: 47 мкГн: Допуск: ± 20%: Насичення: 1.2 А: Перегрів: 850 мА: Корпус:
В наявності
75 

MBQ40T65QESTH Напруга насичення колектор-емітер: 1,8В, Струм колектора при нульовій напрузі затвора: 40 мкА
MBQ40T65QESTH Напруга насичення колектор-емітер: 1,8В, Струм колектора при нульовій напрузі затвора: 40 мкА
В наявності
156.25 

MBQ40T120QESTH IGBT транзистор, Напруга насичення колектор-емітер: 2,1В, Струм колектора при нульовій напрузі затвора: 1мА
MBQ40T120QESTH IGBT транзистор, Напруга насичення колектор-емітер: 2,1В, Струм колектора при нульовій напрузі затвора: 1мА
В наявності
від 35 /міс
352.50 

MBQ75T65PEHTH IGBT транзистор, Напруга насичення колектор-емітер: 1,7В, Струм колектора при нульовій напрузі затвора: 20 мкА
MBQ75T65PEHTH IGBT транзистор, Напруга насичення колектор-емітер: 1,7В, Струм колектора при нульовій напрузі затвора: 20 мкА
В наявності
від 42 /міс
415 

CDRH105RNP-100NC Дросель - Струм: 4.45 А: Індуктивність: 10 мкГн: Допуск: ± 30%: Насичення: 4.45 А: Перегрів: 4.5 А: Корпус: SMD
CDRH105RNP-100NC Дросель - Струм: 4.45 А: Індуктивність: 10 мкГн: Допуск: ± 30%: Насичення: 4.45 А: Перегрів: 4.5 А: Корпус: SMD
В наявності
101.25 

CDRH105RNP-101NC Дросель - Струм: 1.35 А: Індуктивність: 100 мкГн: Допуск: ± 30%: Насичення: 1.35 А: Перегрів: 1.35 А: Корпус: SMD
CDRH105RNP-101NC Дросель - Струм: 1.35 А: Індуктивність: 100 мкГн: Допуск: ± 30%: Насичення: 1.35 А: Перегрів: 1.35 А: Корпус: SMD
В наявності
71.25 

CDRH104RNP-100NC Дросель - Струм: 3.8 А: Індуктивність: 10 мкГн: Допуск: ± 30%: Насичення: 4.4 А: Перегрів: 3.8 А
CDRH104RNP-100NC Дросель - Струм: 3.8 А: Індуктивність: 10 мкГн: Допуск: ± 30%: Насичення: 4.4 А: Перегрів: 3.8 А
В наявності
81.25 

CDRH8D28NP-4R7NC Дросель - Струм: 3.4 А: Індуктивність: 4.7 мкГн: Допуск: ± 30%: Насичення: 3.4 А: Перегрів: 4.5 А. Магнітне
CDRH8D28NP-4R7NC Дросель - Струм: 3.4 А: Індуктивність: 4.7 мкГн: Допуск: ± 30%: Насичення: 3.4 А: Перегрів: 4.5 А. Магнітне
В наявності
65 

Комплект для вивчення струму у вакуумі
Комплект для вивчення струму у вакуумі
В наявності
8 000 

CDRH105RNP-100NC Дросель - Струм: 4.45 А: Індуктивність: 10 мкГн: Допуск: ± 30%: Насичення: 4.45 А: Перегрів: 4.5 А: Корпус: SMD
CDRH105RNP-100NC Дросель - Струм: 4.45 А: Індуктивність: 10 мкГн: Допуск: ± 30%: Насичення: 4.45 А: Перегрів: 4.5 А: Корпус: SMD
В наявності
97.50 

RCH895NP-121K Дросель - Струм: 670 мА: Індуктивність: 120 мкГн: Допуск: ± 10%: Насичення: 820 мА: Перегрів: 670 мА: Корпус: Radial
RCH895NP-121K Дросель - Струм: 670 мА: Індуктивність: 120 мкГн: Допуск: ± 10%: Насичення: 820 мА: Перегрів: 670 мА: Корпус: Radial
В наявності
41.25 

Показано 1 - 29 товарів з 40+