Prom – найбільший маркетплейс України

Rdson в Україні

Польовий MOSFET-транзистор 4N04R8 40V 300A RDS(on) 0.77 мОм для точкового зварювання
Польовий MOSFET-транзистор 4N04R8 40V 300A RDS(on) 0.77 мОм для точкового зварювання
Готово до відправки
5.0 
59.80 
74.75 

Транзистор SKST065N08N 80В 65А, N-канальний, низький Rds(on), TO-220
Транзистор SKST065N08N 80В 65А, N-канальний, низький Rds(on), TO-220
Готово до відправки
48 

Транзистор CRST025N08N 80В 25А, N-канальний, низький Rds(on), TO-220
Транзистор CRST025N08N 80В 25А, N-канальний, низький Rds(on), TO-220
Готово до відправки
35 

Транзистор IRFB4110PBF 100В 120А, N-канальний, низький Rds(on), TO-220, Infineon (IR)
Транзистор IRFB4110PBF 100В 120А, N-канальний, низький Rds(on), TO-220, Infineon (IR)
Готово до відправки
40 

Транзистор HY4008P 40В 120А, N-канальний, низький Rds(on), TO-220
Транзистор HY4008P 40В 120А, N-канальний, низький Rds(on), TO-220
Готово до відправки
35 

Транзистор HY5208W 80В 120А, N-канальний, низький Rds(on), TO-220
Транзистор HY5208W 80В 120А, N-канальний, низький Rds(on), TO-220
Готово до відправки
86 

IRLMS5703TRPBF MOSFET транзистор: P-канал, 30 В, Rdson макс. при Vg 1: 400мОм @ 4.5В мОм, Rdson макс. при Vg 2: 200мОм @ 10В мОм,
IRLMS5703TRPBF MOSFET транзистор: P-канал, 30 В, Rdson макс. при Vg 1: 400мОм @ 4.5В мОм, Rdson макс. при Vg 2: 200мОм @ 10В мОм,
В наявності
31.25 

TPC8107 МОП-транзистор P-Ch 30V 13A Rdson=0.007Ohm
TPC8107 МОП-транзистор P-Ch 30V 13A Rdson=0.007Ohm
В наявності
42.50 

CRSM027N08N4 N-канальний MOSFET 80 В, 195 А, з низьким Rds(on) 2,5 мΩ
CRSM027N08N4 N-канальний MOSFET 80 В, 195 А, з низьким Rds(on) 2,5 мΩ
В наявності
107.50 

SIS476DN-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 30 В: 40 A (Tc): ~28 40 A, RDS(on) 2.5 мΩ @ 15 A/10 V: потужність розсіювання
SIS476DN-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 30 В: 40 A (Tc): ~28 40 A, RDS(on) 2.5 мΩ @ 15 A/10 V: потужність розсіювання
В наявності
107.50 

SSP3N80A МОП-транзистор: THT. N-Channel, 1 Channel, Uds,V: 800 V. Idd,A: 3 A. Rds(on), Ohm: 4,8.
SSP3N80A МОП-транзистор: THT. N-Channel, 1 Channel, Uds,V: 800 V. Idd,A: 3 A. Rds(on), Ohm: 4,8.
В наявності
128.75 

MOSFET транзистор N канальний AON7410 DFN 3x3 EP 30 В 24 А низький RdsOn 2 мОм 20 Вт для ноутбуків зарядних та вхідних кіл
MOSFET транзистор N канальний AON7410 DFN 3x3 EP 30 В 24 А низький RdsOn 2 мОм 20 Вт для ноутбуків зарядних та вхідних кіл
Готово до відправки
39 

MOSFET IRF3205 N-канальний 55 В 110 А Rds(on) 8 мОм TO-220-3 THT для інверторів та БЖ
MOSFET IRF3205 N-канальний 55 В 110 А Rds(on) 8 мОм TO-220-3 THT для інверторів та БЖ
В наявності
21.70 
27.12 

Транзистор HY5012W 100В 120А, N-канальний, низький Rds(on), TO-220
Транзистор HY5012W 100В 120А, N-канальний, низький Rds(on), TO-220
Готово до відправки
99 

IRLL024NTRPBF SOT-223 N-канал, VDSS=55V, RDS(on) max=65мОм, VGS=10V, ID(25°C)=3.1A - транзистор польовий MOSFET
IRLL024NTRPBF SOT-223 N-канал, VDSS=55V, RDS(on) max=65мОм, VGS=10V, ID(25°C)=3.1A - транзистор польовий MOSFET
В наявності
25 

IRF1405 ТO-220AB N-ch, 55V, 169A, Rds(on) 0,0046 Ohm - транзистор польовий MOSFET
IRF1405 ТO-220AB N-ch, 55V, 169A, Rds(on) 0,0046 Ohm - транзистор польовий MOSFET
В наявності
70 

Каскодний польовий транзистор SiC, 650 В 85 А, Rdson 0.027R TO-247-3L
Каскодний польовий транзистор SiC, 650 В 85 А, Rdson 0.027R TO-247-3L
Під замовлення
від 387 /міс
3 867 

Каскодний польовий транзистор SiC, 650 В 54 А, Rdson 0.042R TO-247-3L
Каскодний польовий транзистор SiC, 650 В 54 А, Rdson 0.042R TO-247-3L
Під замовлення
від 154 /міс
1 539 

SiC-MOSFET, N-канальний, 1200 В, 95 А, 427 Вт, Rdson 0.0286R, TO247
SiC-MOSFET, N-канальний, 1200 В, 95 А, 427 Вт, Rdson 0.0286R, TO247
Під замовлення
від 332 /міс
3 324 

ICE3AR4780JZ ШИМ-контролер із MOSFET (Gen3R, Flyback): 15 Вт, 100 кГц, VCC 10,5 25 В, VDS до 800 В, RDS(on) 5,18 Ω, захист 2 кВ, t
ICE3AR4780JZ ШИМ-контролер із MOSFET (Gen3R, Flyback): 15 Вт, 100 кГц, VCC 10,5 25 В, VDS до 800 В, RDS(on) 5,18 Ω, захист 2 кВ, t
В наявності
215 

Транзистор HY3810P 100В 120А, N-канальний, низький Rds(on), TO-220
Транзистор HY3810P 100В 120А, N-канальний, низький Rds(on), TO-220
Готово до відправки
45 

Транзистор HY1906P 60В 120А, N-канальний, низький Rds(on), TO-220
Транзистор HY1906P 60В 120А, N-канальний, низький Rds(on), TO-220
Готово до відправки
26 

Транзистор потужний Power MOSFET IRF840 ( VDSS = 500V, RDS(on) = 0.85 ohm, ID = 8.0 A
Транзистор потужний Power MOSFET IRF840 ( VDSS = 500V, RDS(on) = 0.85 ohm, ID = 8.0 A
В наявності
53 

Транзистор HY5110W 100В 120А, N-канальний, низький Rds(on), TO-220
Транзистор HY5110W 100В 120А, N-канальний, низький Rds(on), TO-220
Готово до відправки
80 

SI2309CDS-T1-GE3 Транзистор польовий: P Channel: Drain Source Voltage Vds: -60V: On Resistance Rds (on): 285mohm: Rds (on) Test
SI2309CDS-T1-GE3 Транзистор польовий: P Channel: Drain Source Voltage Vds: -60V: On Resistance Rds (on): 285mohm: Rds (on) Test
В наявності
18.75 

IRL2203N потужний N-канальний польовий МОП-транзистор (Vdss=30V, Rds (on) = 7.0mohm, Id=116A
IRL2203N потужний N-канальний польовий МОП-транзистор (Vdss=30V, Rds (on) = 7.0mohm, Id=116A
В наявності
120 

Транзистор потужний польовий IRF5305 (Vdss=-55V, Rds (on) = 0.06ohm, Id=-31A
Транзистор потужний польовий IRF5305 (Vdss=-55V, Rds (on) = 0.06ohm, Id=-31A
В наявності
50 

BSS138DW-7-F Транзистор MOSFET, Dual N Channel, 200 мА, 50 В, 3.5 Ом, Rds (on) 10 В.
BSS138DW-7-F Транзистор MOSFET, Dual N Channel, 200 мА, 50 В, 3.5 Ом, Rds (on) 10 В.
В наявності
10 

MOSFET AON7410 N-канальний 30 В 24 А DFN 3x3 EP транзистор польовий низький RdsON 2 мОм для ноутбуків зарядних вхідних кіл
MOSFET AON7410 N-канальний 30 В 24 А DFN 3x3 EP транзистор польовий низький RdsON 2 мОм для ноутбуків зарядних вхідних кіл
Готово до відправки
39 

Показано 1 - 29 товарів з 100+