Prom – найбільший маркетплейс України

Infineon Technologies MOSFET 40В в Україні

IPD50R800CEATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 500В, 5А, 40Вт, CoolMOS
IPD50R800CEATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 500В, 5А, 40Вт, CoolMOS
В наявності
68.75 

IPD036N04LGBTMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 40В, 90А, 94В
IPD036N04LGBTMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 40В, 90А, 94В
В наявності
111.25 

IPD50P04P4L11ATMA1 Транзистор: P-MOSFET, польовий, -40В, -50А, 58Вт
IPD50P04P4L11ATMA1 Транзистор: P-MOSFET, польовий, -40В, -50А, 58Вт
В наявності
131.25 

IRFS3004TRL7PP Транзистор: N-MOSFET, польовий, 40В, 400А, D2PAK-7
IRFS3004TRL7PP Транзистор: N-MOSFET, польовий, 40В, 400А, D2PAK-7
В наявності
163.75 

IRLS3034TRLPBF Транзистор: N-MOSFET, польовий, 40В, 343А, 375Вт, D2PAK
IRLS3034TRLPBF Транзистор: N-MOSFET, польовий, 40В, 343А, 375Вт, D2PAK
В наявності
476.25 

MOSFET N-канал 40В 90А 5.1 мОм Infineon IPD80N04S3-06 TO252
MOSFET N-канал 40В 90А 5.1 мОм Infineon IPD80N04S3-06 TO252
В наявності
36.06 

MOSFET N-канал 40В 195А 1.45мОм Infineon BSC014N04LSi TDSON8
MOSFET N-канал 40В 195А 1.45мОм Infineon BSC014N04LSi TDSON8
В наявності
95.82 

MOSFET N-канал 40В 300А 770мОм Infineon IPLU300N04S4-R8 HPSOF8-1
MOSFET N-канал 40В 300А 770мОм Infineon IPLU300N04S4-R8 HPSOF8-1
Під замовлення
149.46 

IRFTS9342TRPBF MOSFET силовий транзистор - [TSOP-6 (Micro 6)]: Тип: P: Uси: 30 В: Iс (25 ° C): 5.8 А: Rсі (вкл): 40 ... 66 мом: @
IRFTS9342TRPBF MOSFET силовий транзистор - [TSOP-6 (Micro 6)]: Тип: P: Uси: 30 В: Iс (25 ° C): 5.8 А: Rсі (вкл): 40 ... 66 мом: @
В наявності
23.75 

IRFS7437TRLPBF MOSFET транзистор - TO-263-2: Тип: N: Uси: 40 В: Iс (25 ° C): 250 А: Rсі (вкл): 1.4 ... 1.8 мом: @ Uзатвора 2,2 ...
IRFS7437TRLPBF MOSFET транзистор - TO-263-2: Тип: N: Uси: 40 В: Iс (25 ° C): 250 А: Rсі (вкл): 1.4 ... 1.8 мом: @ Uзатвора 2,2 ...
В наявності
107.50 

IRFS7437TRLPBF MOSFET транзистор - TO-263-2: Тип: N: Uси: 40 В: Iс (25 ° C): 250 А: Rсі (вкл): 1.4 ... 1.8 мом: @ Uзатвора 2,2 ...
IRFS7437TRLPBF MOSFET транзистор - TO-263-2: Тип: N: Uси: 40 В: Iс (25 ° C): 250 А: Rсі (вкл): 1.4 ... 1.8 мом: @ Uзатвора 2,2 ...
В наявності
107.50 

BSS806NEH6327XTSA1 SMD/SMT, 1 Channel, N-MOSFET, польовий, 20 В, 2.3 А, 1.7 nC, 0.5 Вт, 500 mW - 55 С...+150 С.
BSS806NEH6327XTSA1 SMD/SMT, 1 Channel, N-MOSFET, польовий, 20 В, 2.3 А, 1.7 nC, 0.5 Вт, 500 mW - 55 С...+150 С.
В наявності
20 

BSS87H6327FTSA1 Транзистор: N-MOSFET: польовий: напруга 240В: ток 0,26А: потужність 1Вт: опір 6 Ом
BSS87H6327FTSA1 Транзистор: N-MOSFET: польовий: напруга 240В: ток 0,26А: потужність 1Вт: опір 6 Ом
В наявності
52.50 

IPD70R360P7S Транзистор: N-MOSFET, польовий, 700В, 7,5А, 59,5Вт
IPD70R360P7S Транзистор: N-MOSFET, польовий, 700В, 7,5А, 59,5Вт
В наявності
58.75 

IPD060N03LGATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 30В, 43А, 56Вт. Опір: 6 мОм
IPD060N03LGATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 30В, 43А, 56Вт. Опір: 6 мОм
В наявності
62.50 

BSS87H6327FTSA1 Транзистор: N-MOSFET: польовий: напруга 240В: ток 0,26А: потужність 1Вт: опір 6 Ом
BSS87H6327FTSA1 Транзистор: N-MOSFET: польовий: напруга 240В: ток 0,26А: потужність 1Вт: опір 6 Ом
В наявності
52.50 

IRLB8314PBF Транзистор: N-MOSFET, польовий, 30В, 120А, Idm: 664А, 125Вт
IRLB8314PBF Транзистор: N-MOSFET, польовий, 30В, 120А, Idm: 664А, 125Вт
В наявності
65 

IPA70R360P7SXKSA1 Транзистор польовий, N-MOSFET, 700В, 7.5А, 34А, 26.5Вт, TO220FP
IPA70R360P7SXKSA1 Транзистор польовий, N-MOSFET, 700В, 7.5А, 34А, 26.5Вт, TO220FP
В наявності
70 

IPD78CN10NGATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 13А, 31Вт
IPD78CN10NGATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 13А, 31Вт
В наявності
76.25 

BSP149H6327XTSA1 MOSFET силовий транзистор - [SOT-223]: Тип: N: Uси: 200 В: Iс (25 ° C): 140 мА: Rсі (вкл): 1 Ом: @ Uзатв (ном):
BSP149H6327XTSA1 MOSFET силовий транзистор - [SOT-223]: Тип: N: Uси: 200 В: Iс (25 ° C): 140 мА: Rсі (вкл): 1 Ом: @ Uзатв (ном):
В наявності
80 

IPD090N03LGATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 30В, 30А, 42Вт
IPD090N03LGATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 30В, 30А, 42Вт
В наявності
81.25 

IPD60R400CEATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 600В, 10,3А, 83Вт
IPD60R400CEATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 600В, 10,3А, 83Вт
В наявності
87.50 

IPD079N06L3GBTMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 60В, 50А, 79Вт
IPD079N06L3GBTMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 60В, 50А, 79Вт
В наявності
97.50 

IPD78CN10NGATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 13А, 31Вт
IPD78CN10NGATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 13А, 31Вт
В наявності
76.25 

IPD50R380CEATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 500В, 9,9А, 73Вт
IPD50R380CEATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 500В, 9,9А, 73Вт
В наявності
98.75 

IPD65R1K4C6ATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 650В, 2,8А, 28,4Вт
IPD65R1K4C6ATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 650В, 2,8А, 28,4Вт
В наявності
100 

IPD50R500CEATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 500В, 7,6А, 57Вт
IPD50R500CEATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 500В, 7,6А, 57Вт
В наявності
110 

IPD034N06N3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 60В, 100А, 167В
IPD034N06N3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 60В, 100А, 167В
В наявності
115 

IPD180N10N3GBTMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 43А, 71Вт
IPD180N10N3GBTMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 43А, 71Вт
В наявності
142.50 

Показано 1 - 29 товарів з 100+