Prom – найбільший маркетплейс України

Igbt радиодетали в Україні

IGBT транзистор FGA25N120, 1200В 25А з діодом
IGBT транзистор FGA25N120, 1200В 25А з діодом
В наявності
94 

IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А зі вбудованим діодом
IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А зі вбудованим діодом
В наявності
150 

100%
IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А зі вбудованим діодом
IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А зі вбудованим діодом
Готово до відправки
97 

IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А зі вбудованим діодом EVT
IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А зі вбудованим діодом EVT
В наявності
83 
103.75 

IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200 В 25 А з вбудованим діодом 4133932 dobra sprava
IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200 В 25 А з вбудованим діодом 4133932 dobra sprava
Готово до відправки
71.50 
89.38 

IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200 В 25 А з вбудованим діодом 3958393 м.жабка
IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200 В 25 А з вбудованим діодом 3958393 м.жабка
Готово до відправки
71.50 
89.38 

IGBT транзистор FGA25N12O (25N12O), TO-3P, 12OO В 25 А з вбудованим діодом 4198925 tovari prosto
IGBT транзистор FGA25N12O (25N12O), TO-3P, 12OO В 25 А з вбудованим діодом 4198925 tovari prosto
В наявності
71.50 
89.38 

Транзистор IGBT 30F131 GT30F131 в корпусі TO263-2 для плазмових панелей 300 В 200 А напруга насичення 1,9 В потужність 140 Вт
Транзистор IGBT 30F131 GT30F131 в корпусі TO263-2 для плазмових панелей 300 В 200 А напруга насичення 1,9 В потужність 140 Вт
Готово до відправки
21.62 
27.03 

IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200 В 25 А з вбудованим діодом 386-0832 м.алмаз kolero almaz
IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200 В 25 А з вбудованим діодом 386-0832 м.алмаз kolero almaz
Готово до відправки
71.50 
89.38