159НТ1Б (AU) (5-я приемка)

матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)

Микросхемы представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).

Корпус типа 301.8-2, масса не более 1,3 гр.

159НТ1Б 
Микросхемы 159НТ1Б  представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей). 
Корпус типа 3101.8-9.01, масса не более 1,3 г.

Предельно допустимые режимы эксплуатации 159НТ1Б:
  - Напряжение коллектор-база .......... 20 В
  - Напряжение эмиттер-база .......... 4 В
  - Напряжение между транзисторами .......... 20 В
  - Ток коллектора постоянный .......... 10 мА
  - Ток коллектора импульсный (tи = 30мкс) .......... 40 мА
  - Рассеиваемая мощность (при Т= -60 +70° С) .......... 50 мВт

Минимальный срок сохраняемости микросхем при их хранении:
- в отапливаемом хранилище или в хранилище с регулируемыми влажностью и температурой или местах хранения микросхем, вмонтированных в защищенную аппаратуру, или находящихся в защищенном комплекте ЗИП - 25 лет;
- в неотапливаемом хранилище – 16,5 лет;
- под навесом и на открытой площадке, вмонтированными в аппаратуру ( в составе незащищенного объекта), или в комплекте ЗИП – 12,5 лет.
Срок сохраняемости исчисляется с даты изготовления, указанной на микросхеме.

Корпус ИМС К159НТ1А-Е
















Электрическая схема

1,8 ― свободные; 
2 ― коллектор транзистора VT1;
3 ― база транзистора VT1;
4 ― эмиттер транзистора VT1; 
5 ― эмиттер транзистора VT2; 
6 ― база транзистора VT2; 
7 ― коллектор транзистора VT2; 





Электрические параметры
 

1	Разность напряжений эмиттер-база транзисторов     159НТ1А-В     159НТ1Г-Е	не более 3 мВ не более 15 мВ
2	Прямое падение напряжения эмиттер-база при Iэ=1 мА	0,55...0,75 В
3	Обратный ток коллектор-база	не более 200 нА
4	Обратный ток эмиттер-база	не более 500 нА
5	Ток утечки между транзисторами VT1 и VT2 при U=20 В	не более 20 нА
6	Коэффициент усиления по току при UКБ=5 В, IЭ=1 мА     159НТ1А,Г     159НТ1Б,Д     159НТ1В,Е	20...80 60...180 более 80
7	Емкость эмиттера на частоте 10 мГц	не более 5 пФ
8	Емкость коллектора на частоте 10 мГц	не более 4 пФ

Предельно допустимые режимы эксплуатации
 

1	Напряжение коллектор-база	20 В
2	Напряжение эмиттер-база	4 В
3	Напряжение между транзисторами	20 В
4	Ток коллектора постоянный	10 мА
5	Ток коллектора импульсный tи=30 мкс	40 мА
6	Рассеиваемая мощность	50 мВт

Зарубежные аналоги
 

2N4042-2N4045