SF128 Unitra GEMI транзистор NPN (500mA 80В) Au (ТО5) ― Транзисторы биполярные Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Type Designator: SF128 Material of Transistor: Si Polarity: NPN Maximum Collector Power Dissipation (Pc), W: 0.6 Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|, V: 100 Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 60 Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|, V: 7 Maximum Collector Current |Ic max|, A: 0.5 Max. Operating Junction Temperature (Tj), °C: Transition Frequency (ft), MHz: 60 Collector Capacitance (Cc), pF: Forward Current Transfer Ratio (hFE), min: 28 Корпус транзистора: Схемы транзистора SF126 Общий вид транзистора SF126 Цоколевка транзистора SF126 Обозначение контактов: Международное: C ― коллектор, B ― база, E ― эмиттер. Россиянское: К ― коллектор, Б ― база, Э ― эмиттер.